模拟电子练习题.docxVIP

第1页/共8页下一页文本预览：模拟电子习题集一．选择题1．半导体中的空穴是(B)：A．半导体晶格中的缺陷B电子脱离共价键后留下的空位C带正电的离子2．工作在放大状态的晶体管，流过集电结的主要是（B）A扩散电流B漂移电流3．下列元、器件中有源器件是(C)：A电阻器B电容器C晶体管4．多级放大电路与单管放大电路相比，频带（B）A变宽B变窄C差不多5．差动输入信号与两个输入信号的（A）有关。A差B和C比值D平均值6．输出级的互补电路常用的接法是(B)：A共射或共源B共集或共漏C 共基或共栅7．具有下列情况的就一定是反馈放大电路(B)：A输出与输入之间有信号通路B电路中存在反向传输的信号通路C除放大电路以外还有信号通路8．为了抑制漂移，集成运放的输入级一般是差动放大电路，因此对于由双极型三极管构成输入级的集成运放，两个输入端的外接电阻应（B）A较大B对称C较小9．在输入电压从足够低逐渐上升到足够高和从足够高下降到足够低两种不同变化过程中，（B）的输出电压随uI变化的曲线是不同的。A简单电压比较器B滞回比较器C窗口比较器10．滤波可利用（C）实现A．二极管 B变频电路C低通滤波电路D高通滤波电路11．本征半导体温度升高后(C)A自由电子数目增多，空穴数目基本不变B空穴数目增多，自由电子数目基本不变C自由电子和空穴数目都增多，且增量相同D自由电子和空穴数目不变12．二极管的正向电阻（B），反向电阻（A）A大B小13．NPN型和PNP型晶体管的区别是（C）A由两种不同材料硅和锗制成的B渗入的杂质元素不同C P区和N区的位置不同14．某个处于放大状态的电路，当输入为10mV时，输出电压为7V；输入电压为15mV时，输出电压为6.5V 。它的电压放大倍数为（C）A700 B100 C-10015．放大电路与单管放大电路相比，高频时附加相移（A）A变大B变小C基本不变16．差模放大倍数Ad是（B）之比，共模放大倍数Ac是（C）比。A输出的变化量与输入变化量B输出差模量与输入差模量C输出共模量与输入共模量D输出直流量与输入直流量17．复合管组成的电路可以(B)：A展宽频带B提高电流放大系数C减小温漂18．所谓开环是指具有以下主要特点的电路(B)：A无信号源B无反馈通路 C无电源D无负载19．当集成运放处于（A）状态时，可运用（D）和（E）概念。A．线性放大B开环C深负反馈D虚短E虚断20．功率放大电路的输出功率大是由于(C)：A电压放大倍数大或电流放大倍数大B输出电压高且输出电流大C输出电压变化幅值大且输出电流变化幅值大21.N型半导体是纯净半导体加入以下(C)物质后形成的半导体：A电子B硼元素（三价）C锑元素（五价）22．二极管的伏安特性时I=（C）A KU2 B KU3/2 C K（EU/UT-1）23．当温度升高时，晶体管的β（ A），反向电流（A），UBE（B）A变大B变小C基本不变24．两个AU=100的放大电路Ⅰ和Ⅱ分别对同一个具有内阻的电压信号进行放大时得到U01=4.85V，U02=4.95V。由此可知放大电路Ⅱ比较好，因为它的（B）。（设所接负载电阻相同）A放大倍数大B输入电阻大C输出电阻小25．直接耦合放大电路能放大（C），阻容耦合电路能放大（B）A直流信号B交流信号C交直流信号26．电路的Ad越大表示（B），Ac越大表示（A）。A温漂越大B有用信号的放大倍数越大C仰制温漂能力越强27．为了提高ri，减小温漂，通用型集成运放的输入级大多采用（C）电路。A共射或共源B共集或共漏C差动放大28．所谓闭环是指(B)：A考虑信号源内阻B有反馈通路C接入电源D接入负载29．（B）是（A）的特殊情况A虚短B虚地C虚断30．功率放大电路与电压放大电路或电流放大电路的主要区别是(A)：A功放电路的输出功率比较大,而电压或电流放大电路的输出功率一般比较小 B功放电路的效率比较高，而电压或电流放大电路的效率很低C功放电路的输出电压幅值比电压放大电路的大31N型半导体中多数载流子是（B），P型半导体中多数载流子是（A）A空穴B自由电子32．二极管电压从0.65V增大10%，流过的电流增大（B）A 10% B 大于10% C小于10%33．场效应管G-S之间的电阻比晶体管b-e间电阻（A）A大B小C差不多34．电路的静态是指(C)：A．输入交流信号幅值不变时的电路状态B输入交流信号频率不变时的电路状态C无信号输入时的电路状态35．阻容耦合电路与直接耦合电路的多级放大电路之间的最主要不同点是(A)： A所放大的信号不同B交流通路不同C直流通路不同36．共模仰制比KCMR是（C）之比A差模输入信号与共模输入信号B输出量中差模成分与共模成分C差模放大倍数与共模放37。为了减小ro，通用型集成运放输出级大多采用（C）电路。A共集或共漏B差动放大C互补或准互补跟