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- 2021-06-03 发布于四川
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- | 2009-10-30 颁布
- | 2010-06-01 实施
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GBT40612009硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法
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中华人 民共和 国国家 标准
/ —
犌犅犜4061 2009
代替 —
GB4061 1983
硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法
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20091030发布 20100601实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
发 布
中 国 国 家 标 准 化 管 理 委 员 会
/ —
犌犅犜4061 2009
前 言
本标准代替 — 《硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法》。
GB4061 1983
本标准与原标准相比,主要有如下改动:
———增加了“术语”、“试剂与器材”;
———增加了“检验报告”内容;
———对试样尺寸的切取方向和试样处理内容增加了要求。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位:洛阳中硅高科技有限公司。
本标准主要起草人:袁金满。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
——— — 。
GB4061 1983
Ⅰ
/ —
犌犅犜4061 2009
硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法
1 范围
本标准规定了以三氯氢硅和四氯化硅为原料在还原炉内用氢气还原出的硅多晶棒的断面夹层化学
腐蚀检验方法。
本标准关于断面夹层的检验适用于以三氯氢硅和四氯化硅为原料,以细硅芯为发热体,在还原炉内
用氢气还原沉积生长出来的硅多晶棒。
2 方法原理
本方法采用化学腐蚀法,根据氢氟酸 硝酸混合液对硅多晶断面氧化夹层及温度夹层腐蚀速率的差
别进行检验。
3 术语
3.1
氧化夹层 狅狓犻犱犲犾犪犿犲犾犾犪
硅多晶横断面上呈同心圆状结构的氧化硅夹杂。
3.2
温度夹层 狋犲犿 犲狉犪狋狌狉犲犾犪犿犲犾犾犪
狆
由于温度起伏,在硅多晶的横断
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