电力电子技术期末考试试题讲述.doc

电力电子技术试题 一、填空 1.电力电子器件一般工作在____状态。2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为____，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为____。3.电力电子器件组成的系统，一般由____、__、 __三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加___。4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为__ 、 __ 、__三类。5.电力二极管的工作特性可概括为__。6.电力二极管的主要类型有__、__、 __。7.肖特基二极管的开关损耗__快恢复二极管的开关损耗。.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向有触发则导通、反向截止__ 。.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL____IH 。.晶闸管断态不重复电压UDM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDM_大于__Ubo。1.逆导晶闸管是将__与晶闸管__（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。1.电力MOSFET的通态电阻具有____温度系数。1.IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而___，开关速度____电力MOSFET 。1.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为__和__两类。.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是电力二极管，属于半控型器件的是晶闸管_，属于全控型器件的是 GTO GTR 、电力MOSFET IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管晶闸管GTO 、GTR ，属于复合型电力电子器件得有 IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET，属于电压驱动的是电力MOSFET IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管GTO 、GTR _。.电阻负载的特点是__，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__。.阻感负载的特点是_，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__ _ ，其承受的最大正反向电压均为___，续流二极管承受的最大反向电压为___（设U2为相电压有效值）。.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__ _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 和_；带阻感负载时，α角移相范围为_ _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为___和___；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个__。 .电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm等于___，晶闸管控制角α的最大移相范围是__，使负载电流连续的条件为____(U2为相电压有效值)。.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_ _，当它带阻感负载时，?的移相范围为__ _。.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是___的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是__的相电压；这种电路???角的移相范围是_ _，ud波形连续条件是__。21.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当???从0°～90°变化时，整流输出的电压ud的谐波幅值随???的增大而 __，当???从90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随???的增大而__。.逆变电路中，当交流侧和电网连结时，这种电路称为__，欲实现有源逆变，只能采用___电路当控制角 0?????????时，电路工作在___状态；?????????????时，电路工作在___状态。.在整流电路中，能够实现有源逆变的有__、__等（可控整流电路均可），其工作在有源逆变状态的条件是__和__( 90O，使输出平均电压Ud为负值_。.直流斩波电路完成得是直流到__的变换。2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_斩波电路 和_斩波电路_。.斩波电路有三种控制方式、和。 27.改变频率的电路称为_变频电路_，变频电路有交交变频电路和_交交变频_电路两种形式，前者又称为_变频电路__，后者也称为_变频电路_。28.单相调压电路带电阻负载，其导通控制角?的移相范围为__，随???的增大， Uo__，功率因数?___。　　.单相交流调压电路带阻感负载，当控制角?＜?(?=arctan(?L/R) )时,VT1的导通时间__,VT2的导通时间___。　　.把电网频率的交流电直接变换成可调频率的交流电的变流电路称