多晶硅生产企业尾气回收车间工艺题库(带答案).docx

多晶硅生产企业尾气回收车间工艺题库填空题RF6401AB机组的高压级排气压力报警值(16.8)bar调停值(17.2)bar正产控制参范围（13.5-15.5）bar。E6401的出口压力为（5.6±0.1bar）出口温度为（40℃）。D6401的LI06102正常控制值是（40%）。吸收是指利用气体混合物中各组分在液体溶剂中（溶解度）的不同而使气体中（不同组分）分离的过程。解析是将吸收得到的溶质气体从（液体中分离出来）的过程，是吸收的（逆）操作。E26412的出口正常控制温度为（180±10℃）。E26413的出口正常控制温度为（10±5℃）。T10602的出口物料的流量为（90-100m3/h）。T6402的FIC06301控制值为(60m3/h)。来自还原炉或氢化炉的反应尾气中的（氢气）、（氯化氢）、（二氯二氢硅）、（三氯氢硅）和（四氯化硅）等组分经(放空气冷却器）、（放空气换热器）、（放空气乙二醇冷却器）和（放空气R22冷却器）后，其中大部分氯硅烷（二氯二氢硅、三氯氢硅和四氯化硅）被冷凝成液体，用泵输送至HCL精馏塔将（氯化氢）解析出来，解吸后的氯硅烷部分作为HCL吸收塔的吸收液，多余物料送往罐区，由精馏车间精馏后循环利用。不凝的氢气和氯化氢经过（氢压机）压缩加压后，进入氯化氢吸收塔底部，在（高压、低温）条件下，用氯硅烷作为吸收剂，（氯化氢）被吸收掉，（氢气）被分离出来。E10604液位由阀门（LV0410）控制的。HCL回流罐一部分氯化氢在重力作用下流向（氯化氢储罐），经氯化氢加热器(加热汽化后)供三氯氢硅合成使用。氯化氢吸收塔顶部出来的气体为(氢气)，由于这部分氢气中仍含有微量(氯化氢、氯硅烷)等杂质，达不到生产多晶硅的要求，因此进入(氢气吸附塔)进行吸附精制。氢压机机封气排气压力一般在（0.02 MPa）。氢压机的机封气有（氢气）和（氮气）。氢压机的机封气排气温度不高于（120℃）。T6402进气/出气压力是（1.45±0.1MPa）；进气是（-15±5℃），出气温度是（-40±2℃）。T6402进液温度是（-42～-44℃）；进液压力是（1.50±0.1MPa）。T10603塔体压力控制在（0.80±0.02MPa），塔顶温度控制在（80±10℃），塔底温度控制在（135±5℃）。氢化再生氢气部分排至（1508）以排除吸附的杂质；其余经（膜压机压缩后）回收利用。还原系统再生氢气经膜压机压缩后补充至（氢化系统）。分馏塔将（TCS）和（TET）分离出来纯度为（96%）以上送至罐区，TET外卖,TCS由精馏处理后回收利用。在生产过程中物料设备的安全阀起跳泄压释放的物料为(氢气)、(氯化氢)和(氯硅烷)需送至1508废气处理后放空。蒸汽系统中的安全阀起跳泄压释放的物料不需要处理，可直接向（大气）中排放。P10601泵出口压力控制在（1.2MPa）。还原冷凝系统换热器用循环水换热的有（E10601）温度控制为（40±2℃）。吸收塔氯硅烷进料温度不能高于（-28℃）。V10610的液位正常控制范围为（300-1000）mm。吸收塔泛塔了应减少（蒸汽量）、加大（回流量）及增大（进料量）处理。HCL塔顶回流罐的液位的正常控制范围是（350）mm。还原向氢化补压的阀门位号是（PV2001）。HCl精馏塔顶冷却器液位是根据（物料出口温度）确定其液位高度，手动控制。E10613冷却介质是（七度水）。P10603压力控制在（1.3 MPa）。R-22冷冻系统中的安全阀起跳泄压释放的物料直接向(大气中)排放。再生气可以在（E10614前）和（D6402）前切去1508。C6402的进气压力控制在（0.05±0.025MPa），排气压力控制在（0.52 MPa）。C6402的进气温度控制在（15±5℃），排气温度控制在（30±5℃）。精馏塔操作过程中随回流比R值的增大，其馏出液中（轻组分）含量升高。在化工生产指标中，选择性的大小表示了（主产物消耗）的原料量。离心泵的扬程，是指单位重量流体经过泵后（机械）能能量的增加值。一台试验用的离心泵，在开动不久后，泵入口出的真空度逐渐降低为零泵出口压力表逐渐降低为零，此时离心泵完全打不出水，发生故障的原因是进口管路（漏气）。尾气回收车间分为（还原）尾气回收系统和（氢化）尾气回收系统。按工艺要求，（C6401A）为氢化系统的常用运行氢压机，（C10601）为还原系统的常用运行氢压机，（C6401B）为还原系统与氢化系统的备用氢压机。备用氢压机C6401B应处于完好（备用）状态，06HV0104及之前的蝶阀及其后的球阀处于（关闭）状态，06HV0106及其后的球阀处于（关闭）状态，KV06211处于（关闭）状态，06HV0108及其后球阀处于（关闭）状态，06HV0107及06HV0109处于（关闭）状态