模拟电子技术应用()复习题及答案.doc

模拟电子技术应用（二）复习题及答案 1. 设图中VD为普通硅二极管，正向压降为 0.7V，试判断VD是否导通，并计算UO的值。 （a）设VD断开，求得UO－0.45V，小于硅二极管的死区电压，所以VD截止，UO－0.45V （b）VD导通，UO＝2.3V 2. 计算下图电路中二极管上流过的电流ID。设二极管的正向导通压降为0.7V，反向电流等于零。 （a） ，VD截止， （b） 3. 电路如图所示，VD为理想二极管，画出各电路的电压传输特性(曲线），并标明转折点坐标值。 4. 已知电路中，，二极管正向压降为0.7V，画出各电路中uO1、uO2波形，并注明其电压幅值。 5. 在如图所示电路中，已知稳压管VDZ1的稳定电压 UZ1＝6.3V， VDZ2的稳定电压UZ2＝7.7V，它们的正向导通电压UD均为0.7V，UI和R的取值合理，UI的实际极性和UO1～UO4的假设极性如图中所标注。填空： UO1＝ V，UO2＝ V，UO3＝ V，UO4＝ V。 14 ， 7， －0.7， －6.3 6. 从括号中选择正确的答案，用A、B、C、D填空。 用直流电压表测得各晶体管各电极的对地静态电位如图所示，试判断这些晶体管处于什么状态。 （A．放大， B．饱和 ， C．截止 ， D．损坏） ⑴ ； ⑵ ； ⑶ ； ⑷ ； ⑸ 。 （1）C （2）A （3）C （4）B （5）D 7. 从括号中选择正确的答案，用A、B、C、D填空。 用直流电压表测得各晶体管各电极的对地静态电位如图所示，试判断这些晶体管处于什么状态。 （ A．放大， B．饱和， C．截止， D．损坏） ⑴ ； ⑵ ； ⑶ ； ⑷ ； ⑸ 。 （1）D （2）A （3）A （4）C （5〕B 8. 已知图示电路中晶体管＝50，，UBEQ＝0.7V。判断在下列两种情况下晶体管工作在什么状态。 1．＝10， ＝1 2．＝510 ＝5.1 如果工作在线性放大状态，则进一步计算静态工作点、、以及电压放大倍数、输入电阻、输出电阻（设电容C1、C2对交流信号可视为短路）。 1．饱和 2．线性放大 (A = Rb //≈1.27k = Rc = 5.1k 9. 已知图示电路中晶体管的＝80，，UBEQ＝0.7V，电容的容量足够大，对交流信号可视为短路。 (1) 要求静态电流＝1mA，估算Re1的值； (2) 求电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。 1． 2． ＝Rb1 // Rb2 // [+(1+)Re2]≈4.6k ＝＝3 10. 某晶体管输出特性和用该晶体管组成的放大电路如图所示，设晶体管的UBEQ＝0.6V。 1．在输出特性曲线上画出该放大电路的直流负载线和交流负载线，标明静态工作点Q； 2．确定静态时ICQ和UCEQ的值； 3．当逐渐增大正弦输入电压幅度时，首先出现饱和失真还是截止失真？ 4．为了获得尽量大的不失真输出电压，应增大还是减小？ 1．IBQ＝20(A，作图如下： 2．ICQ≈2mA，UCEQ≈3V 3．首先出现截止失真 4．减小Rb 11. 某硅晶体管的输出特性曲线和用该晶体管组成的放大电路及其直流、交流负载线如图所示。求： 1．电源电压VCC，静态电流ICQ，静态电压UCEQ； 2．电路参数、、； 3．该电路此时的最大不失真输出电压幅值Uom。 1．VCC≈12V， ICQ≈3mA， UCEQ≈3V 2．Rc≈3k， RL≈1.5k Rb≈188k（取UBEQ＝0.7V ） 或190k（取UBEQ＝0.6V ） 3．Uom＋≈3V， UOm－≈2.5V， 取Uom≈2.5V 12. 放大电路及相应的晶体管输出特性如图所示，直流负载线和Q点也标在图上。 1．确定VCC，、的数值（