钻采自动化复习资料详解.docx

1．电力电子器件的特点: 1）具有较大的耗散功率;2）工作在开关状态;3）需要专门的驱动电路来控制 4）需要缓冲和保护电路. 2.电力电子器件的分类: 1）不可控器件;2）半控型器件;3）全控型器件. 3.按照驱动信号的不同，又可将可控器件分为电流驱动型和电压驱动型。 电流驱动型器件通过从控制极注入和抽出电流来实现器件的通断. 电压驱动型器件通过在控制极上施加正向控制电压实现器件导通. 4.根据器件内部带电粒子参与导电的种类不同，电力电子器件又可分为单极型、双极型和复合型三类。 5.晶闸管的开关特性:晶闸管可等效为一个PNP晶体管V1和一个NPN晶体管V2的复合双晶体管模型。晶闸管的导通条件可归纳为阳极正偏和门极正偏，即uAK0且uGK0。 6.晶闸管的主要技术参数:1）电压定额:断态重复峰值电压,反向重复峰值电压,通态平均电压; 2）电流定额:维持电流,擎住电流,浪涌电流,通态平均电流;3）动态参数:断态电压临界上升率,通态电流临界上升率, 7.;绝缘栅双极晶体管工作原理：开通和关断是由栅极和发射极间的电压UGE控制的电压UGE控制。当UGE为正且大于开启电压UT时，功率MOSFET内形成导电沟道，其漏源电流作为内部GTR的基极电流，从而使IGBT导通。此时从P+注入N-区的空穴对N?-区进行电导调制，减小了N-区的电阻RN，使IGBT获得低导通压降。当栅极与发射极间不加信号或施加反向电压时，功率MOSFET内的导电沟道消失，GTR的基极电流被切断，IGBT随即关断。 8.擎住效应：NPN晶体管基极与发射极之间存在体区短路电阻，P形体区的横向空穴电流会在该电阻上产生压降，栅极就会失去对集电极电流的控制作用，电流失控。 9.整流电路的分类:不可控整流电路：电路由不可控器件组成 半控整流电路：电路由不可控器件和可控器件组成。 全控整流电路： 电路完全由可控器件组成。 10.控制角：从晶闸管开始承受正向电压(t0时刻)到被触发(t1时刻)这段时间所对 应的电角度。 导通角：晶闸管在一个工作周期内导通的电角度。 移相控制：通过控制触发脉冲的相位，即通过控制角?的大小来控制直流输出电压Ud的大小这种控制方式。 自然换相点：当电路中的可控元件全部由不可控元件代替时，各元件的导电转换点。 11.单相半波可控整流电路波形特点： 1)、电感(L一定时:α、L,θt,电流越平稳;αt,θ、l,,电流脉动越大。 2)、 a不变时: L、L,电流脉动越大; Lt,电流波形峰值降低。 3)、电感L使电流波形变得平稳,起到“平波”的作用。 4)、当L很大,且满足时oL?R,d,导通角接近于θ=2π一2α。 5)、整流后输出Ud的平均电压低。 12.三相桥式全控整流电路特点： 1）为使电流能在电源与负载之间形成回路，必须使共阴极组和共阳极组中各有一只晶闸管导通。 2)、根据晶闸管的导通条件，其导通规律是：共阴极组阳极电位最高者与共阳极组阴极电位最低者导通。 3)、在一个交流电源周期内，整流输出电压脉动六次，每次脉动的波形都相同，故该电路称为六脉波整流电路。 4)、 晶闸管承受的电压波形与三相半波整流电路相同，晶闸管承受的最高正、反向电压数值也与三相半波整流电路相同。 13.对触发脉冲的具体要求： 1）按VT1?VT2 ? VT3 ? VT4 ? VT5 ? VT6的顺序，相位依次互差60?。 共阴极组VT1、VT3、VT5的脉冲相位依次互差120?。 2)、共阳极组VT2、VT6、VT4的脉冲相位也依次互差120?。 3)、接于交流电源同一相的上、下两只晶闸管，即VT1与VT4、VT3与VT6以及VT5与VT2，脉冲相位互差180?。 4)、为保证需同时导通的两只晶闸管均有触发脉冲，应采用宽脉冲触发，其脉冲宽度大于80o；或采用双脉窄冲触发，双窄脉冲前沿相差60o，其宽度约为20o左右。 14.传动系统的状态: （1）稳定运行状态:TM=TL ω为常数，传动系统以恒速运动。 （2）动态运行状态:TM≠T 传动系统加速运动。 传动系统减速运动。 15.恒转矩型负载特性:负载转矩为常数，不随转速n变化。依据负载转矩与运动方向的关系，将恒转矩型的负载转矩分为反抗型恒转矩负载和位能转矩型恒转矩负载。 反抗型恒转矩负载：负载转矩大小不变，负载转矩方向始终和运动方向相反阻碍电机转动，当电机转动方向改变，负载转矩作用方向也随之改变。 位能转矩型