模电复习提要(电本).docVIP

《模电》二极管重点掌握内容： 概念 半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。 半导体奇妙特性：热敏性、光敏性、掺杂性。 本征半导体：完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。 本征激发：环境温度变化或光照产生本征激发，形成电子和空穴，电子带负电，空穴带正电。它们在外电场作用下均能移动而形成电流，所以称载流子。 P型半导体：在纯净半导体中掺入三价杂质元素，便形成P型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，空穴为多数载流子（称多子）而电子为少子。 N型半导体：在纯净半导体中掺入五价杂质元素，便形成N型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，电子为多子、而空穴为少子。 PN结具有单向导电性：P接正、N接负时（称正偏），PN结正向导通，PN结宽度变窄；P接负、N接正时（称反偏），PN结反向截止，PN结宽度变宽。所以正向电流主要由多子的扩散运动形成的，而反向电流主要由少子的漂移运动形成的。PN结的反向击穿：电击穿（雪崩击穿、齐纳击穿）[可逆]、热击穿[不可逆]。 PN结电容：扩散电容（加正向电压）和势垒电容（加反向电压） 二极管按材料分有硅管(Si管)和锗管(Ge管)，按功能分有普通管，开关管、整流管、稳压管等。 二极管由一个PN结组成，所以二极管也具有单向导电性：正偏时导通，呈小电阻，大电流，反偏 时截止，呈大电阻，零电流。死区电压：Si管约0.5V，Ge管约为0.1V ，其导通压降：Si管约0.7V，Ge管约为0.2V 。这两组数也是判材料的依据。 10、齐纳二极管（稳压管）是工作在反向击穿状态的： ①加正向电压时，相当正向导通的二极管。（压降为0.7V，） ②加反向电压时截止，相当断开。 ③加反向电压并击穿（即满足U﹥UZ）时便稳压为UZ 。 11、光电二极管（反向偏置）和发光二极管（正向偏置）：符号 11、二极管主要用途：整流、限幅、继流、检波、开关、隔离（门电路）等。 二、应用举例：（判二极管是导通或截止、并求有关图中的输出电压U0 。三极管复习完第二章再判） 1.试判断电路中二极管是导通还是截止。并分别求出各电路中A、O两端电压UAO。设二极管是理想器件。 图（a）：二极管D导通，UAO= – 4 V 图（b）：二极管D1导通、D2截止，UAO ≈ 0 V 图（c）：二极管D1截止、D2导通，UAO ≈ – 6 V 2、在图所示的限幅电路中，已知输入信号为V，试画出输出电压uo的波形。设二极管为理想器件。 电路的uO波形如图 (a)、(b)、(c)、(d)所示。 三、习题：3.4.5 3.4.9 3.5.1 《模电》三极管和场效应管重点掌握内容： 一、概念 三极管（电流控制型）由两个PN结组成。从结构看有三个区、两个结、三个极。 三个区：发射区——掺杂浓度很高，其作用是向基区发射电子。 基区——掺杂浓度很低，其作用是控制发射区发射的电子。 集电区——掺杂浓度较高，但面积最大，其作用是收集发射区发射的电子。 两个结：集电区——基区形成的PN结。叫集电结。（JC） 基区——发射区形成的PN结。叫发射结。（Je） 三个极：从三个区引出的三个电极分别叫基极B、发射极E和集电极C（或用a、b、c） 对应的三个电流分别称基极电流IB、发射极电流IE、集电极电流IC 。并有：IE =IB+ IC 三极管也有硅管和锗管，型号有NPN型和PNP型。(注意电路符号的区别) 三极管的输入电压电流用UBE 、IB表示，输出电压电流用UCE 、IC表示。 三极管具有电流电压放大作用.其电流放大倍数β=IC / IB (或IC=β IB)和开关作用. 4、三极管的输入特性（指输入电压电流的关系特性 ）与二极管正向特性很相似，也有： 死区电压：硅管约为0.5V, 锗管约为0.1V 。 导通压降：硅管约为0.7V ,锗管约为0.2V 。（这两组数也是判材料的依据） 会根据三极管的各级电压或电流关系判断管子的极性、类型、材料、放大倍数等 5、三极管的输出特性(指输出电压UCE与输出电流IC的关系特性)有三个区: ①饱和区: 特点是UCE﹤0.3V,无放大作用,C-E间相当闭合.其偏置条件JC, Je都正偏. ②截止区: 特点是UBE ≦0, IB=0, IC=0,无放大. C-E间相当断开..其偏置条件JC, Je都反偏. ③放大区: 特点是UBE大于死区电压, UCE﹥1V, IC=β IB. 其偏置条件Je正偏JC反偏. 所以三极管有三种工作状态,即饱和状态 ,截止状态和放大状态,作放大用时应工作在放大状态,作开关用时应工作在截止和饱和状态.