TFT工艺程中中英文标准名称.doc

一．TFT工艺流程中英文标准名称 Array Process Flow 阵列段工艺流程 Input 投料 Unpacking 拆包装 Initial clean 预备清洗 Particle count 尘埃粒子测试 Gate 栅电极层 Clean before depo 成膜前清洗 Gate （Mo/Al alloy ) Film depo 栅电极成膜 RS meter 电阻测量 Macro Inspection 宏观检查 Clean before PR 涂胶前清洗 Pre bake 预烘 PR Coating 光刻胶涂布 PR vacuum dry(VCD) 光刻胶低压干燥 PR soft bake 前烘 Expose 曝光 Titler Expose/Edge Expose 打标/边缘曝光 Develop 显影 PR hard bake 坚膜 ADI 显影后自动光学检查 Mic/Mac Inspection 宏微观检查 CD after develop 显影后关键尺寸检查 Total pitch 长寸测量 Gate Wet etch 栅电极湿刻 Contact angle 接触角测量 PR strip 光刻胶剥离 CD after etch 刻蚀后关键尺寸测量 AEI 刻蚀后自动光学检查 Micro/Macro Inspection 宏微观检查 Laser Repair 激光修补 Active层 Clean before depo 成膜前清洗 Active film depo Active成膜 AOI 自动光学检查 Macro Inspection 宏观检查 Thickness Measurement 厚度测量 Clean before PR 涂胶前清洗 Pre bake 预烘 PR Coating 光刻胶涂布 PR vacuum dry 光刻胶低压干燥 PR soft bake 前烘 Expose 曝光 Develop 显影 PR hard bake 坚膜 ADI 显影后自动光学检查 Mic/Mac Inspection 宏微观检查 Active film Dry etch Ashing Active膜干刻与灰化 Thickness Measurement 厚度测量 PR strip 光刻胶剥离 AEI 刻蚀后自动光学检查 Mic/Macro Inspection 宏微观检查 S/D 源/漏电极层 Clean before depo 成膜前清洗 S/D Mo film depo 源/漏电极成膜 RS meter 电阻测量 MACRO Inspection 宏观检查 Clean before PR 涂胶前清洗 Pre bake 预烘 PR Coating 光刻胶涂布 PR vacuum dry 光刻胶低压干燥 PR soft bake 前烘 Expose 曝光 Edge expose 边缘曝光 Develop 显影 PR hard bake 坚膜 ADI 显影后自动光学检查 MIC/MAC Inspection 宏微观检查 CD after develop 显影后关键尺寸检查 Hard bake by oven 烘炉坚膜 S/D Mo Wet etch 源电极/漏电极湿刻 n+ a-Si Dry etch n+高掺杂膜干刻 PR strip 光刻胶剥离 Thickness Measurement 厚度测量 CD after etch 刻蚀后关键尺寸测量 AEI 刻蚀后自动光学检查 Micro/Macro Inspection 宏微观检查 Clean before O/S test 短路/开路测试前清洗 Open/Short Test 短路/开路测试 Passivation 保护层 Clean before depo 成膜前清洗 Passn film depo 保护膜成膜 AOI 自动光学检查 MACRO Inspection 宏观检查 Thickness Measurement 厚度测量 Clean before PR 涂胶前清洗 Pre bake 预烘 PR Coating 光刻胶涂布 PR vacuum dry 光刻胶低压干燥 PR soft bake 前烘 Expose 曝光 Edge expose 边缘曝光 Develop 显影 PR hard bake 坚膜 ADI 显影后自动光学检查 Micro/Macro Inspection 宏微观检查 SinX Dry etch ASHING 氮化硅干刻与灰化 PR strip 光刻胶剥离 AEI 刻蚀后自动光学检查 Micro/Macro Inspection 宏微观检查 ITO ITO层 Clean before PR 成膜前清洗 a-ITO film