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嵌段共聚物退火嵌段共聚物退火
非对称二嵌段共聚物胶束薄膜在溶剂退火过程中的形态变化
摘要
对在氯仿溶剂蒸汽退火过程中不对称的聚苯乙烯——嵌段——聚(2——乙烯基吡啶)二嵌段共聚物胶束薄膜的形态变化进行了研究,最初,在膜表面形成纳米级范围的小岛,进一步的退火导致共聚物PS-b-PVP缸底部刷层以上构成的岛的生长,为了进行比较,对从THF溶液(不含胶束结构)中制备的嵌段共聚物进行了研究,从THF中制备的膜的表面形态在溶剂退火过程中经过去湿调幅机制在不断地演变。在很长一段时间的溶剂蒸汽退火中,两种薄膜显示出相同的表面形态,这是由表面场和自动去湿机制之间的相互作用决定的。
1 介绍
嵌段共聚物(BCP)可以自动组装成一系列的定义良好的,有序的纳米结构,包括球体、圆柱体、薄片、与双螺旋形 、这个是取决于相对组分聚合物【1E4】的体积分数,嵌段共聚物薄膜被确认为应用于纳米结构工程中应用范围从磁存储到光电材料、蚀刻抗蚀剂和传感器的模板和支架的理想材料,最近,溶剂退火可以被用作生产长程有序嵌段共聚物【5E15】的薄膜的其中一个重要的方法已经得到了证实,例如,Niu 和Saraf 描述了一个通过溶剂退火制备的高度有序嵌段共聚物薄膜的动力学特征的有关机制,Fukunaga 等人研究了脱溶剂速度对通过溶剂退火所得到的ABC三嵌段共聚物的形貌的影响
并报道了大规模比对得到的微域,
轩等人通过控制的溶剂的选择性,膜厚度和水蒸气的曝光时间获得了排列有序的对称的六边形包装纳米缸二嵌段共聚物的聚(苯乙烯 - 嵌段 - 甲基丙烯酸甲酯)(共聚物PS-b -PMMA )薄膜,。Peng等人系统地研究了溶剂选择性对用溶剂退火得到的嵌段共聚物的薄膜的影响。在对称共聚物PS-b -聚甲基丙烯酸甲酯薄膜在溶剂退火后形成的不同膜结构是取决于溶剂的性质 。聪等人表明水(对于PS和P4VP 它不是一种溶剂)可诱导聚苯乙烯 - 嵌段 - 聚(4 - 乙烯基吡啶)( PS- β- P4VP )胶束薄膜的形态变化。 Zhao等人对在甲醇蒸气(少数的选择性溶剂P4VP块)溶剂退火后薄不对称的PS -B- P4VP薄膜的表面形态进行了研究。 Kim等人表明溶剂挥发以可控制的速率可以提供一个非常简单但强大的路线来大面积产生几乎无缺陷的微观结构在聚(苯乙烯 - 嵌段 - 环氧乙烷)( PS- β- PEO)嵌段共聚物薄膜[ 10 ] 。上文提到的大多数办法都集中在一个微相分离的相对取向形态学相对于基板表面时的实验变量,如表面字段,膜厚,溶剂的挥发速度,溶剂的选择性,退火条件,等的改变[ 5E15 ] 。然而,涉及这些处理的详细的机理仍不清楚。此外,嵌段共聚物的初始形态与从不同的溶剂所得制备的薄膜形态的发展之间的相关性是很少考虑的。
通常情况下,一个板块在一个界面的优先润湿经常发生在以尽量减少系统的自由能地情况下,从而导致该微区的平行取向。对称二嵌段共聚物,当薄膜的厚度到平衡片层间距是不相称的,该膜厚度的量化经常发生,无论是孔或岛屿有核在薄膜表面来调整到薄膜厚度到优选的量化值。当与表面的联系显著减小时,厚度通约可能导致垂直方向薄片相对于所述边界表面的取向。
然而,当一个板块与基材表面(面域)之间的相互作用是非常强的时候,稳定的刷便可以形成。在刷密集的情况下,均聚物或同一区块不能深入的渗透到刷,这可能导致材料的自动去湿。据报道称,在一定条件下, PS均聚物去湿PS笔刷层可以附着到基板表面。嵌段共聚物的大混乱液滴也去湿有序共聚物的致密层刷在嵌段共聚物薄膜略高于链转变温度[20,21]。 Lee等人报道称即去湿在用溶剂形成共聚物PS-b -PVP嵌段共聚物的薄膜( 4PS ? 0.37 )中致残留的分层表面图案的形成起到了重要的作用。
据报道,各种嵌段共聚物的胶束可以在溶液中制备[23,24] 。特别地,使用LangmuireBlodgett嵌段共聚物胶束溶液自组装法,浸涂法或旋涂的方法制备的纳米尺寸的胶束单层膜是纳米材料通用的模板,他们的稳定形态在将来的应用中是至关重要的。在这项工作中,我们研究了在溶剂退火中不对称的二嵌段共聚物PS -B -PVP的胶束膜的表面结构随时间的变化。为了进行比较,另一种类型的从未经胶束结构的THF溶液制备的嵌段共聚物膜的结构也进行了研究。用这种方法,表面的初始形态的结构对溶剂退火后薄嵌段共聚物薄膜的结构的影响的系统的研究正在进行。
2 。实验部分
2.1 。物料
聚苯乙烯 - 嵌段 - 聚(2 - 乙烯基吡啶)( PS- β- PVP)的多分散指数是1.07是从聚合物源公司购买的,PS和PVP块的数均分子量分别是54900克/摩尔及18,600种克/摩尔,
2.2 。基材的准备
硅(Si )基材( W2.5厘米? 2.5厘米)他的
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