用于DDR、QDR和QDR-IVSRAM的超薄型三路输出.PDFVIP

用于 DDR、QDR 和 QDR-IV SRAM 的超薄型三路输出 μModule 稳压器可安放在 0.5cm2 面积内和 PCB 的背面 设计要点 551 Sam Young 和 Afshin Odabaee 引言 0.5cm2 (双面) 或 1cm2 (单面)，而它扁薄的外形则使 QDR-IV 实现了 QDR (四倍数据速率) SRAM 的最高 其能安装在 PCB 的背面，这样就可腾出 PCB 正面的 RTR (随机事务处理速率)，可为高带宽网络、高性能 空间以实现超紧凑的电路板设计。 计算和密集型数据处理应用提供高达 400Gbps 的数据 LTM4632 采用一个介于 3.3V 和 15V 之间的输入电压 传输。在这些较快数据速率下的一项主要挑战是保持 工作，可提供 0.6V 至 2.5V 的精准输出轨电压。该器 在 SRAM 与高速 FPGA 和处理器等器件之间传输数 件的两个开关稳压器输出 VOUT1 和 VOUT2 分别为 据的完整性。 VDDQ 提供高达 3A 和 VTT 总线终端轨提供高达 一种良好的解决方案是把 SRAM (例如：QDR-IV、 ±3A。它的第三个输出为跟踪电压的终端基准 (VTTR) QDR 或 DDR) 布设得非常靠近 PCB 正面的接口器 提供一个低噪声缓冲 10mA 输出。图 1 示出了一种典 件。为节省 PCB 面积并最大限度地抑制数据总线线 型 DDR3 应用中的 LTM4632 电路，显现了其简单的 路上的感应 PCB 寄生噪声，应将给 QDR-IV SRAM 解决方案和小的组件数目。 数据总线驱动器供电的 DC/DC 稳压器电路安置在近 旁。面临的难题是在高安装密度的 PCB 上找到安放 该稳压器的空间。 采用一个具片内电感器和 MOSFET 并内置于紧凑型封 装中的完整 DC/DC 稳压器是一种解决方案。不过， 即使是紧凑的解决方案，要面对 PCB 正面上稀缺的可 用面积也会有难度。如果 DC/DC 稳压器解决方案的 占板面积、高度和重量能够有足够的削减，则其就能 安放在具有可用面积的 PCB 之背面。 图 1：典型的 LTM4632 DDR3 应用 在一个纤巧的超薄型封装中从 12V 获得 VTT、 IN 给更多的 SRAM 模块供电 VDDQ、V REF LTM4632 的设计灵活性使其能够支持众多的应用要 LTM?4632 是一款完整的三路输出降压型 μModule? 求。例如：VDDQIN 输入允许 VTT 和 VREF 轨电压 稳压器，专为支持新型 QDR-IV 和较老式的 DDR RAM 设定为一个典型的 1/2 x VDDQ 电压，或由一个外部 所需要的全部三个电压轨而设计，其采用一个重 基准电压设置为其他数值。在那些需要大于 ±3A 终端 0.21g、外形超薄的微型 LGA 封装 (6.25mm x 6.25mm 轨电流的应用中，LTM4632 可配置为一个用于 VTT 的 x 1.8