晶体管的开关特性技术总结.ppt

晶体管的频率特性;§4.3 晶体管的开关特性;一、晶体管的开关作用;2. 晶体管的开关区域;3. 截止区和饱和区的少子分布;?饱和区;（2）少子分布;（3）电流传输;二、晶体管的开关过程;二、晶体管的开关过程; 二、晶体管的开关过程中的少子分布;缩短延迟时间td的方法： ?减小发射结势垒电容 ?减小集电结势垒电容 ?增大基极注入电流， 使势垒电容充电进程加快 ?减小反向脉冲幅度;2、上升时间tr;2、上升阶段基区少子分布;缩短上升时间tr的方法： ?减小发射结势垒电容 ?减小集电结势垒电容 ?增大基极注入电流， 但要注意深饱和 ?增大基区少子寿命，减小基区复合电流;3、存储时间ts;4、下降时间tf;减小下降时间的途径： ①减小发射结和集电结势垒电容 ②增大基极抽取电流 ③缩短基区电子寿命和集电区空穴寿命;三、提高开关晶体管开关速度的途径;2、从晶体管外部考虑