CH2-封装工艺流程讲解.ppt

集成电路封装技术;2.1.1 为什么要学习封装工艺流程 熟悉封装工艺流程是认识封装技术的前提，是进行封装设计、制造和优化的基础。 芯片封装和芯片制造不在同一工厂完成 它们可能在同一工厂不同的生产区、或不同的地区，甚至在不同的国家。许多工厂将生产好的芯片送到几千公里以外的地方去做封装。芯片一般在做成集成电路的硅片上进行测试。在测试中，先将有缺陷的芯片打上记号（打一个黑色墨点），然后在自动拾片机上分辨出合格的芯片。;2.1.2 封装工艺流程概况 流程一般可以分成两个部分：在用塑料封装之前的工序称为前段工序，在成型之后的操作称为后段工序。成型工序是在净化环境中进行的，由于转移成型操作中机械水压机和预成型品中的粉尘达到1000级以上（空气中0.3μm粉尘达1000个/m3以上）。 现在大部分使用的封装材料都是高分子聚合物，即所谓的塑料封装。上图所示的塑料成型技术有许多种，包括转移成型技术、喷射成型技术、预成型技术，其中转移成型技术使用最为普遍。;2.2 芯片切割 2.2.1、为什么要减薄 半导体集成电路用硅片4吋厚度为520μm，6吋厚度为670μm。这样就对芯片的切分带来困难。因此电路层制作完成后，需要对硅片背面进行减薄，使其达到所需要的厚度，然后再进行划片加工，形成一个个减薄的裸芯片。 ;2.2.2减薄工艺 硅片背面减技术主要有： 磨削、研磨、化学抛光 干式抛光、电化学腐蚀、湿法腐蚀 等离子增强化学腐蚀、常压等离子腐蚀等;2.2.2减薄工艺 先划片后减薄和减薄划片两种方法 ;2.3 芯片贴装 芯片贴装，也称芯片粘贴，是将芯片固定于封装基板或引脚架芯片的承载座上的工艺过程。 ;2.3.1共晶粘贴法 共晶反应 指在一定的温度下，一定成分的液体同时结晶出两种一定成分的固相反应。例如，含碳量为2.11%-6.69%的铁碳合金，在1148摄氏度的恆温下发生共晶反应，产物是奥氏体（固态）和渗碳体（固态）的机械混合物，称为“莱氏体”。 一般工艺方法 陶瓷基板芯片座上镀金膜-将芯片放置在芯片座上-热氮气氛中（防氧化）加热并使粘贴表面产生摩擦（去除粘贴表面氧化层）-约425℃时出现金-硅反应液面，液面移动时，硅逐渐扩散至金中而形成紧密结合。;2.3.1共晶粘贴法 预型片法，此方法适用于较大面积的芯片粘贴。优点是可以降低芯片粘贴时孔隙平整度不佳而造成的粘贴不完全的影响。;2.3.2 焊接粘贴法 焊接粘贴法是利用合金反应进行芯片粘贴的方法。优点是热传导性好。 一般工艺方法 将芯片背面淀积一定厚度的Au或Ni，同时在焊盘上淀积Au-Pd-Ag和Cu的金属层。然后利用合金焊料将芯片焊接在焊盘上。焊接工艺应在热氮气或能防止氧化的气氛中进行。 ;2.3.3 导电胶粘贴法 导电胶是银粉与高分子聚合物（环氧树脂）的混合物。银粉起导电作用，而环氧树脂起粘接作用。;导电胶贴装工艺 ;玻璃胶粘贴法 与导电胶类似，玻璃胶也属于厚膜导体材料（后面我们将介绍）。不过起粘接作用的是低温玻璃粉。它是起导电作用的金属粉（Ag、Ag-Pd、Au、Cu等）与低温玻璃粉和有机溶剂混合，制成膏状。 ;2.4 芯片互连 芯片互连是将芯片焊区与电子封装外壳的I/O引线或基板上的金属焊区相连接。 芯片互连常见的方法：;2.4.1 打线键合技术 ;2.4.1 打线键合技术介绍 （1）超声波键合 ;2.4.1 打线键合技术介绍 （2）热压键合 ;（3）热超声波键合 热超声波键合是热压键合与超声波键合的混合技术。在工艺过程中，先在金属线末端成球，再使用超声波脉冲进行金属线与金属接垫之间的接合。 此过程中接合工具不被加热，仅给接合的基板加热(温度维持在100-150℃)。其目的是抑制键合界面的金属间化合物（类似于化学键，金属原子的价电子形成键）的成长，和降低基板高分子材料因高温产生形变。 ;打线键合的线材与可靠度 （1）合金线材 铝合金线 因纯铝线材太软很少使用。铝合金线标准线材是铝-1%硅。令你一种是含0.5-1%镁的铝导线。其优点是抗疲劳性优良，生成金属间化合物的影响小。 金线 纯金线的纯度一般用4个9。为增加机械强度，往往在金中添加5-10ppm 铍或铜。金线抗氧化性好，常由于超声波焊接中。 ;（2）影响打线键合可靠度因素 ;2.4.2 载带自动键合技术 ;过去，TAB技术不受重视的原因： （1）TAB技术初