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§10 化合物半导体材料;III-V族化合物半导体;§10 化合物半导体材料 10.1 III-V族化合物半导体;§10 化合物半导体材料 10.1 III-V族化合物半导体;(1). GaAs的能带结构和性质;§10 化合物半导体材料 10.1 III-V族化合物半导体;I.浅施主能级杂质：VI族元素 Se,S,Te;§10 化合物半导体材料 10.1 III-V族化合物半导体;I.迁移率高;§10 化合物半导体材料 10.1 III-V族化合物半导体;§10 化合物半导体材料 10.1 III-V族化合物半导体;§10 化合物半导体材料 10.1 III-V族化合物半导体;(2). GaP的能带结构及性质;§10 化合物半导体材料 10.1 III-V族化合物半导体;I.发光二极管;§10 化合物半导体材料 10.1 III-V族化合物半导体;(3). GaN的能带结构和性质;§10 化合物半导体材料 10.1 III-V族化合物半导体;I.施主杂质：Si和Se; II-VI化合物半导体;I.点缺陷类型：间隙原子和空位;§10 化合物半导体材料 10.2 II-VI族化合物半导体;§10 化合物半导体材料 10.2 II-VI族化合物半导体;§10 化合物半导体材料 10.2 II-VI族化合物半导体;§10 化合物半导体材料 10.2 II-VI族化合物半导体;§10 化合物半导体材料 10.2 II-VI族化合物半导体;§10 化合物半导体材料 10.2 II-VI族化合物半导体;a.霍尔器件 CdxHg1-xTe;§10 化合物半导体材料 10.2 II-VI族化合物半导体;§10 化合物半导体材料 10.2 II-VI族化合物半导体;§10 化合物半导体材料 10.2 II-VI族化合物半导体;§10 化合物半导体材料 10.2 II-VI族化合物半导体;§10 化合物半导体材料 10.2 II-VI族化合物半导体;§10 化合物半导体材料 10.2 II-VI族化合物半导体;§10 化合物半导体材料 10.2 II-VI族化合物半导体;§10 化合物半导体材料 10.2 II-VI族化合物半导体;§10 化合物半导体材料 10.2 II-VI族化合物半导体;§10 化合物半导体材料 10.2 II-VI族化合物半导体;§10 化合物半导体材料 10.2 II-VI族化合物半导体;§10 化合物半导体材料 10.2 II-VI族化合物半导体;§10 化合物半导体材料 10.2 II-VI族化合物半导体;§10 化合物半导体材料 10.2 II-VI族化合物半导体;§10 化合物半导体材料 10.2 II-VI族化合物半导体;§10 化合物半导体材料 10.2 II-VI族化合物半导体;§10 化合物半导体材料 10.2 II-VI族化合物半导体;§10 化合物半导体材料 10.2 II-VI族化合物半导体;§10 化合物半导体材料 10.2 II-VI族化合物半导体;§14 固体的光学性质与固体中的光电现象(3);§14 固体的光学性质与固体中的光电现象(3);§14 固体的光学性质与固体中的光电现象(3)
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