华南理工大学《模拟电子技术》模拟电子技术-第五版——基础习题答案.pdf

第一章 常用半导体器件 自 测 题 一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （ 1）在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为 P 型 半导体。（ ） （ 2）因为 N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ） （ 3） PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ） （ 4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 （ ） （ 5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电 压，才能保证其R GS大的特点。（ ） （ 6）若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零，则其输入电阻会明显变小。 （ ） 解 ：（ 1）√ （ 2）× （ 3）√ （ 4）× （ 5）√ （ 6）× 二、选择正确答案填入空内。 （ 1） PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （ 2）设二极管的端电压为 U，则二极管的电流方程是 。 U UU T UU T A. I S e B. ISe C. IS －)1e( （ 3）稳压管的稳压区是其工作在 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （ 4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 （ 5） U GS＝ 0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 。 A. 结型管 B. 增强型 MOS 管 C. 耗尽型 MOS 管 解：（ 1） A （ 2） C （ 3） C （ 4） B （ 5） A C 第一章题解－1 三、写出图T1.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D ＝ 0.7V。 图 T1.3 解：U O1≈ 1.3V， U O2＝ 0， U O3≈－1.3V， U O4≈ 2V， U O5≈ 1.3V， U O6≈－2V。 四、已知稳压管的稳压值U Z ＝ 6V，稳定电流的最小值I Zmin＝ 5mA。求图 T1.4 所示电路中U O1和 U O2各为多少伏。