ch04-pn结和金属半导体结解答.ppt

第4章 pn 结和金属-半导体结;扩散窗口;杂质浓度分布;突变结;pn结空间电荷区;平衡pn的能带图;平衡pn结的内建电势;＋;在pn结上施加偏置电压时，pn结处于非平衡态。p区接电源正极（V0）称pn结正向偏置，p区接电源负极（V0）称pn结反向偏置。;边界条件为：;取;耗尽区的宽度;耗尽区最大电场：;正偏时耗尽层宽度、最大电场和势垒高度减小，反偏时增大;求V=0和V=-5V时空间电荷区的宽度和最大电场。;3、反偏pn结;4、电容-电压特性;5、结的击穿;雪崩击穿;隧道击穿（ Zener Breakdown）;遂穿几率;pn结正向注入效应：正向偏置使pn结耗尽区电场减小，扩散运动大于漂移运动，电子由n区扩散（注入）到p区，空穴由p区扩散（注入）到n区;势垒区边界处的少子浓度（Shockley边界条件）;7、载流子的扩散方程;边界条件;;空穴扩散电流;上述公式适应于正偏、反偏;??耗尽区对电流的影响;稳态时，n区存储的少子电荷为（p+n结）;扩散电容：;金属－半导体结;1、肖特基势垒（SBD）;N-半导体; A high density of energy states in the bandgap at the metal-semiconductor interface pins Ef to a narrow range and fBn is typically 0.4 to 0.9 V;有外加偏压时肖特基结的能带图;2、热电子发射理论;3 Schottky 二极管;;欧姆接触;用接触电阻描述欧姆接触。 接触电阻定义为零偏压时电流密度对求导的倒数，我们希望接触电阻越小越好。 接触电阻是势垒高度和半导体掺杂浓度的两个因素决定。