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二章存儲子系统
* 第二章 存储子系统 2.1 半导体存储器逻辑设计 1、主要解决:芯片的选用、地址分配、片选逻辑、 信号线的连接 例1、用SRAM芯片(1K×4位/片)组成4KB存储器。地址总线A15~A0(低),双向数据总线D7~D0(低),读/写信号线R/W。 (1)芯片数: 8片 (2)存储空间安排: 任意连续区间 (3)芯片地址分配与片选逻辑: 4KB:12位地址A11~A0 哪几位分配给芯片?哪几位形成片选逻辑? 芯片 芯片地址 片选逻辑 1KB 1KB 1KB 1KB (4)逻辑图 A9 ~A0 A9 ~A0 A9 ~A0 A9 ~A0 CS0=A11A10 CS1=A11A10 CS2=A11A10 CS3=A11A10 例2、用4KB ROM芯片、2K×4位和1K×4位RAM芯片组成7KB存储器。地址总线A15~A0(低),双向数据总线D7~D0(低),读/写信号线R/W。 (1)芯片数: 5片 连续区间,先安排大容量芯片,后安排小容量芯片 (2)存储空间安排: 芯片 芯片地址 片选逻辑 4KB 2KB 1KB (4)逻辑图 A11 ~A0 A10 ~A0 A9 ~A0 CS0=A12 CS1=A12A11 CS2=A12A11A10 (3)芯片地址分配与片选逻辑: 7KB:13位地址A12 ~A0 例3、存储器空间分配:ROM区:2000H ~27FFH (按字节编址) RAM区:2800H ~33FFH 选用芯片:EPROM 2KB/片 RAM 2KB/片、1KB/片 芯片 芯片地址 片选逻辑 2KB 2KB 1KB A10 ~A0 A10 ~A0 A9 ~A0 CS0=A12A11 CS1=A12A11 CS2=A12A11A10 (3)芯片地址分配与片选逻辑: 5KB:13位地址A12 ~A0 ROM区:2KB RAM区:3KB (1)计算容量: (2)芯片数: EPROM 1片、RAM 2片 A15 ~A13 为001 即A15A14A13 芯片 芯片地址 片选逻辑 (2)芯片地址分配与片选逻辑: 64KB:16位地址A15 ~A0 例3、主存64KB,其中高地址区2KB用于I/O空间。选用芯片 8KB/片。 (1)芯片数: 8片 8KB 8KB 8KB 8KB 8KB A12 ~A0 A12 ~A0 A12 ~A0 A12 ~A0 A12 ~A0 CS0=A15A14A13 CS1=A15A14A13 CS2=A15A14A13 CS6=A15A14A13 CS7=A15A14A13 A12A11 (3)存储空间分配可以不连续,相应片选逻辑也不连续 2、其他问题 (1)有关控制信号(VMA、MREQ等) (2)地址复用技术 2.2 基本概念 1、存储原理 SRAM:利用双稳态触发器内部交叉反馈存储信息。 DRAM:利用电容存储电荷存储信息。 2、动态刷新 (1)定义:按所存信息定期向电容补充电荷。 (2)方式:按行读一遍。 (3)刷新周期安排方式 集中刷新、分散刷新、异步刷新 (1)随机存取方式 3、存取方式 1)可按地址直接访问任一单元; 2)访问时间与单元地址无关。 访问时按顺序查找,访问时间与数据所在位置有关。 (2)顺序存取方式 (3)直接存取方式 访问时先直接指向一个小区域,再按顺序查找,访问时间与数据所在位置有关。 第三章 I/O子系统 3.1 总线与接口的基本概念 3.1.1 总线 1、定义:一组能为多个部件分时共享的公共信息 传送线路。 1)CPU内总线:CPU芯片内寄存器和算逻部件之间互连的总线。 (1)按功能分类 2、分类 2)部件内总线:插件板内各芯片之间互连的总线。 3)系统总线:计算机系统内各功能部件之间或各插件板之间互连的总线。 4)外总线:计算机系统之间,或计算机系统与其他系统之间互连的总线。 (2)按时序控制方式分类 1)同步总线:由控制模块提供统一的同步时序信号控制总线传送操作。
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