2016年中考试试题汇总(无答案007).doc

  1. 1、本文档共34页,可阅读全部内容。
  2. 2、有哪些信誉好的足球投注网站(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
2016年中考试试题汇总(无答案007)

2016年中考试试题汇总 电池 1.1单选 下列哪项不是太阳能电池的主要参数:( ) A短路电流 B开路电压 C填充因子 D电阻率 2、Schmid 二洗不需要用到的化学品是( ) A. HF B.HNO3 C.HCl D.KOH 3、目前车间生产的硅片电阻率大致范围是:( ) A.0.1-1 B.1-3 C.3-5 D.5-8 4、对电池电性能没有影响的是( ) A.硅片厚度 B.车间洁净度 C测试仪的准确性 D水导电率 5、能形成P型半导体的掺杂元素是( ) A.硼 B.磷 C.氮 D.砷 6、本征半导体是指( )的半导体。 A电阻率很高 B电子浓度与空穴浓度相等 C不含杂质与缺陷 D电子浓度与本征载流子浓度相等 7、如某材料电阻率随温度上升而先下降后上升,该材料为( )。 A. 金属 B. 本征半导体 C. 掺杂半导体 D. 高纯化合物半导体 8、约束晶体硅效率提升的主要因素有( )。 A.正面栅线遮光及光的反射 B. 光传导过程中的损失 C. 载流子的内部及表面复合 D. 以上都是 9、SE电池是在哪一步骤印刷磷浆( )。 A. 一洗后 B. 扩散后 C. 二洗后 D. 镀膜后 10、在太阳光中的可见光波段,哪种颜色的光所占百分比最高( )。 A. 红 B. 黄 C. 绿 D. 紫 11、单晶SM125的面积是( )cm2 。 A、154.83 B、148.76 C、243.28 D、238.95 12、电池车间纯水电阻率要求在( )MΩ以上才能生产。 A、16 B、16.5 C、17 D、17.5 13、在我司电池生产线,多晶硅片酸制绒后显微镜下观察其外观形貌是( )。 A、蜂窝状 B、金字塔状 C、虫孔状 D、光滑平面 14、下列关于多晶硅太阳能电池制绒后表面“暗纹”表述错误的是( ) A“暗纹”区域少子寿命降低,EL及QE变差。 B“暗纹”一般出现在晶粒范围内。 C“暗纹”由于QE变差会导致电池效率的下降,解决此问题的根本办法是改善制绒技术。 D在形成初期彼此不相连的腐蚀坑洞,随着腐蚀的加深,腐蚀坑洞不断变大,并逐渐连成 一条线,形成“暗纹”。 15、 是衡量电池输出特性的重要指标,其值越大表明太阳能电池的输出特性约好。( ) A.填充因子 B.短路电流 C.开路电压 D.光谱响应 16、一次清洗制绒后的多晶硅片用 去中和残留的酸液,用盐酸去除金属离子,用 去除硅片表面的氧化层,用去离子水通过漂洗的方式去除可溶污染物,借助工艺气体将硅片表面吹干。( ) A、NaOH HNO3 B、HF NaOH C、NaOH HCl D、NaOH HF 17、多晶一次清洗工艺流程是( )。 A、去损伤层并制绒→中和残留酸→去金属离子、去氧化层→吹干 B、去损伤层并制绒→吹干→去金属离子、去氧化层→中和残留酸 C、去损伤层并制绒→去金属离子、去氧化层→中和残留酸→吹干 D、去损伤层并制绒→中和残留酸→形成氧化层→吹干 18、硅太阳能电池片典型厚度在( )之间。 A、180 μm- 260 μm B、300 μm - 450 μm C、60μm - 150 μm D、430 μm- 580 μm 19、 采用什么方法可以增加电池片对太阳光的吸收?分别体现在哪些工艺段?( ) A、降低表面反射。——清洗制绒 B、改变光在电池体内的路径。——制减反射膜 C、采用背面反射。——印刷铝背场 D、以上都是 20、单晶硅中,碱腐蚀速度最慢的晶面是_____ 。( ) A、(110) B、(111)

文档评论(0)

haihang2017 + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档