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半导体行业词汇总结
半导体词汇总结
半导体词汇总结 1
A
1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing)
2. acceptor: 受主,如 B,掺入 Si 中需要接受电子
3. ACCESS:一个 EDA(Engineering Data Analysis)系统
4. Acid:酸
5. Active device:有源器件,如 MOS FET(非线性,可以对信号放大)
6. Align mark(key):对位标记
7. Alloy:合金
8. Aluminum:铝
9. Ammonia:氨水
10. Ammonium fluoride:NH4F
11. Ammonium hydroxide:NH4OH
12. Amorphous silicon:α-Si,非晶硅(不是多晶硅)
13. Analog:模拟的
14. Angstrom:A(1E-10m)埃
15. Anisotropic:各向异性(如 POLY ETCH)
16. AQL(Acceptance Quality Level):接受质量标准,在一定采样下,可以 95%置信度通过质量标准(不
同于可靠性,可靠性要求一定时间后的失效率)
17. ARC(Antireflective coating):抗反射层(用于 METAL 等层的光刻)
18. Antimony(Sb)锑
19. Argon(Ar)氩
20. Arsenic(As)砷
21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷
22. Arsine(AsH3)
23. Asher:去胶机
24. Aspect ration:形貌比(ETCH 中的深度、宽度比)
25. Autodoping:自搀杂(外延时 SUB 的浓度高,导致有杂质蒸发到环境中后,又回掺到外延层)
26. Back end:后段(CONTACT 以后、PCM 测试前)
B
27. Baseline:标准流程
28. Benchmark:基准
29. Bipolar:双极
30. Boat:扩散用(石英)舟
C
31. CD: (Critical Dimension)临界(关键)尺寸。在工艺上通常指条宽,例如 POLY CD 为多晶条
宽。
32. Character window:特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。
33. Chemical-mechanical polish(CMP):化学机械抛光法。一种去掉圆片表面某种物质的方法。
34. Chemical vapor deposition(CVD):化学汽相淀积。一种通过化学反应生成一层薄膜的工艺。
35. Chip:碎片或芯片。
36. CIM:computer-integrated manufacturing 的缩写。用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。
37. Circuit design :电路设计。一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。
38. Cleanroom:一种在温度,湿度和洁净度方面都需要满足某些特殊要求的特??区域。
39. Compensation doping:补偿掺杂。向 P 型半导体掺入施主杂质或向 N 型掺入受主杂质。
40. CMOS:complementary metal oxide semiconductor 的缩写。一种将 PMOS 和 NMOS 在同一个硅衬
底上混合制造的工艺。
41. Computer-aided design(CAD):计算机辅助设计。
42. Conductivity type:传导类型,由多数载流子决定。在 N 型材料中多数载流子是电子,在 P 型材料
中多数载流子是空穴。
43. Contact:孔。在工艺中通常指孔 1,即连接铝和硅的孔。
44. Control chart:控制图。一种用统计数据描述的可以代表工艺某种性质的曲线图表。
45. Correlation:相关性。
46. Cp:工艺能力,详见 process capability。
47. Cpk:工艺能力指数,详见 process capa
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