模拟电子技术基础中的常用公式模拟电子技术基础中的常用公式.doc

模拟电子技术基础中的常用公式模拟电子技术基础中的常用公式.doc

  1. 1、本文档共20页,可阅读全部内容。
  2. 2、有哪些信誉好的足球投注网站(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
模拟电子技术基础中的常用公式模拟电子技术基础中的常用公式

模拟电子技术基础中的常用公式 电子技术基础知识点 -  PAGE 88 - -  PAGE 89 - 模拟电子技术基础中的常用公式 7.1 半导体器件基础 GS0101 由理论分析可知,二极管的伏安特性可近似用下面的数学表达式来表示: 式中,iD为流过二极管的电流,uD。为加在二极管两端的电压,VT称为温度的电压当量,与热力学温度成正比,表示为VT = kT/q其中T为热力学温度,单位是K;q是电子的电荷量,q=1.602×10-19C;k为玻耳兹曼常数,k = 1.381×10-23 J/K。室温下,可求得VT = 26mV。IR(sat)是二极管的反向饱和电流。 GS0102 直流等效电阻RD 直流电阻定义为加在二极管两端的直流电压UD与流过二极管的直流电流ID之比,即 RD的大小与二极管的工作点有关。通常用万用表测出来的二极管电阻即直流电阻。不过应注意的是,使用不同的欧姆档测出来的直流等效电阻不同。其原因是二极管工作点的位置不同。一般二极管的正向直流电阻在几十欧姆到几千欧姆之间,反向直流电阻在几十千欧姆到几百千欧姆之间。正反向直流电阻差距越大,二极管的单向导电性能越好。 GS0103 交流等效电阻rd rd亦随工作点而变化,是非线性电阻。通常,二极管的交流正向电阻在几~几十欧姆之间。 需要指出的是,由于制造工艺的限制,即使是同类型号的二极管,其参数的分散性很大。通常半导体手册上给出的参数都是在一定测试条件下测出的,使用时应注意条件。 GS0104 IZmin<Iz<IZmax 其中稳定电流IZ是指稳压管正常工作时的参考电流。IZ 通常在最小稳定电流IZmin与最大稳定电流IZmax之间。其中IZmin 是指稳压管开始起稳压作用时的最小电流,电流低于此值时,稳压效果差;IZmax是指稳压管稳定工作时的最大允许电流,超过此电流时,只要超过额定功耗,稳压管将发生永久性击穿。故一般要求IZmin<Iz<IZmax 。 GS0105 IC = INC + ICBO ≈ INC GS0106 IB = IPB + IPE - ICBO ≈IPB - ICBO GS0107 IE=INE+IPE ≈INE GS0108 INE = INC +IPB GS0109 IE =IC + IB GS0110 GS0111 GS0112 GS0113 GS0114 GS0115 GS0116 GS017 GS0118 GS0119 GS0120 (C表示常数) GS0121 (C表示常数) GS0122 GS0123 GS0124 GS0125 GS0126 PCM =ICUCE GS0127 ,IDSS是UGS=0时的漏极饱和电流,VP称为夹断电压。 7.2 基本放大电路 GS0201 GS0202 GS0203 基本放大电路(固定偏置电路)静态工作点求解公式。 GS0204 GS0205 GS0206 GS0207 GS0208 RL = ∞ Ui = 0 GS0209 GS0210 GS0211 GS0214 () GS0218 为了避免瞬时工作点进入截止区而引起截止失真,则应使: GS0219 为了避免瞬时工作点进入饱和区而引起饱和失真,则应使: GS0220

文档评论(0)

zyongwxiaj8 + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档