PECVD制备氮化硅薄的研究进展PECVD制备氮化硅薄膜的研究进展.doc

PECVD制备氮化硅薄膜的研究进展 毕业设计（论文） （ 2013 届） 题 目 PECVD制备氮化硅薄膜的研究进展 学 号 1003020147 姓 名 钟建斌 所 属 系 新能源科学与工程学院 专 业 材料加工及技术应用 班 级 10材料（1）班 指导教师 胡耐根 新余学院教务处制 目录 TOC \o 1-2 \h \u  HYPERLINK \l _Toc27153 摘要  PAGEREF _Toc27153 1 Abstract HYPERLINK \l _Toc17685   PAGEREF _Toc17685 2  HYPERLINK \l _Toc14626 第一章 氮化硅薄膜的性质与制备方法  PAGEREF _Toc14626 3  HYPERLINK \l _Toc11041 1.1 氮化硅薄膜的性质  PAGEREF _Toc11041 3  HYPERLINK \l _Toc4706 1.2 与常用减反射膜的比较  PAGEREF _Toc4706 4  HYPERLINK \l _Toc28118 1.3 氮化硅薄膜的制备方法  PAGEREF _Toc28118 6  HYPERLINK \l _Toc3330 第二章 工艺参数对PECVD法制备氮化硅减反膜性能的影响研究  PAGEREF _Toc3330 9  HYPERLINK \l _Toc11092 2.1 温度对双层氮化硅减反膜性能的影响  PAGEREF _Toc11092 9  HYPERLINK \l _Toc27537 2.2 射频频率对双层氮化硅减反膜性能的影响  PAGEREF _Toc27537 10  HYPERLINK \l _Toc27949 2.3 射频功率对双层氮化硅性能的影响  PAGEREF _Toc27949 10  HYPERLINK \l _Toc9615 2.4 腔室压力对氮化硅减反膜性能的影响  PAGEREF _Toc9615 11  HYPERLINK \l _Toc30776 2.5 优化前后对太阳电池电性能对比分析  PAGEREF _Toc30776 12  HYPERLINK \l _Toc12931 第三章 结论与展望  PAGEREF _Toc12931 14  HYPERLINK \l _Toc15295 参考文献  PAGEREF _Toc15295 16  HYPERLINK \l _Toc19177 致 谢  PAGEREF _Toc19177 17   PAGE \* MERGEFORMAT 17 PECVD制备氮化硅薄膜的研究进展 摘要 功率半导体器件芯片制造过程中???际上就是在衬底上多次反复进行的薄膜形成、光刻与掺杂等加工过程，其首要的任务是解决薄膜制备问题。随着功率半导体器件的不断发展，要求制备的薄膜品种不断增加，对薄膜的性能要求日益提高，新的制备方法随之不断涌现，并日趋成熟。以功率半导体器件为例，早期的器件只需在硅衬底上生长热氧化硅与单层金属膜即可；随着半导体工艺技术的进步和发展，为了改进器件的稳定性与可靠性还需淀积 PSG、Si3N4、半绝缘多晶硅等等钝化膜。氮化硅是一种性能优良的功能材料,它具有良好的介电特性(介电常数低、损耗低)、高绝缘性,而且高致密性的氮化硅对杂质离子,即使是很小体积的 Na+都有很好的阻挡能力。因此, 氮化硅被作为一种高效的器件表面钝化层而广泛应用于半导体器件工艺中。 等离子增强型化学气相淀积(PECVD)是目前较为理想和重要的氮化硅薄膜制备方法。PECVD法工艺复杂，沉积过程的控制因素较多，沉积条件对介质薄膜的结构与性能有直接的影响。因此在PECVD淀积过程中必须对众多参数进行控制，因此，优化沉积条件是十分重要的。影响氮化硅薄膜特性的沉积工艺参数主要有温度、射频功率、射频频率、腔室压力、气体(SiH4/NH3)流量比等。 本文介绍了氮化硅薄膜的性质与制备方法，等离子增强型化学气相淀积(PECVD)的原理与应用，不同工艺参数对PECVD法制备氮化硅薄膜性能的影响。 关键词：PECVD ,氮化硅薄膜,工艺参数 Research progr