HIT电池技术选编.pptx

姓名：全传笔 部门：研发部;;HIT(Heterojunction with intrinsic Thinlayer) HIT电池是日本Sanyo公司发明的异质结电池的一种，其特点是再发射极和背面高浓度掺杂层与基片之间添加了一层本征非晶硅层。;异质结电池能带结构示意图;HIT电池中本征非晶硅层的作用： 钝化硅片表面，减少Dit(复合中心)，增加电池的少子寿命。 体硅电池中，硅片在未钝化前，表面复合速率一般大于1*105cm/s。 氮化硅钝化后可降到1*103cm/s以下，效果很好时可降到102cm/s以下。 ;HIT电池中TCO层的作用： TCO玻璃是指在平板玻璃表面通过物理或化学镀膜方法均匀的镀上一层透明的导电氧化物薄膜（Transparent Conductive Oxide）而形成的组件。 它能形成良好的欧姆接触，过渡金属－硅减少载流子平行硅片表面流动时的复合损耗，增加载流子的收集效率起到钝化表面的效果。;硅片清洗及制绒与体硅电池相同;本征层及掺杂层的制备;HWCVD热丝化学气相沉积;;TCO层的制备 溅射法：磁控溅射、离子束溅射等 蒸发法：热蒸发、离子束蒸发等 溅射法的工艺稳定性更好，制备薄膜的质量也较好。;至2008年世界HIT电池的研究现状;三洋双面HIT电池结构图;HIT电池工艺制程;1.HIT电池具有较高的开路电压Uoc，三洋规模化生产效率可超过20%。 2.良好的温度特性。室外使用温度经常会达到70-80度，在同样的高温下，HIT电池比晶硅太阳电池性能衰减更少。 3.HIT电池工艺均在200度以下，对于衬底硅材料的要求较低。热能投入少，同时对环境洁净程度要求较低。 4.全部在线式设备，易于实现自动化。; 工艺步骤增加，设备更复杂。参考SUNFAB生产线的成本 RR的设备价格会比较昂贵。 周边刻蚀工序只能放在最后，不能像常规工艺那样提前 非晶硅的主流PECVD工艺为直接式，频率一般为13.56MHz，管式PECVD设备可以实现。;HIT技术难点;PECVD技术难点一;PECVD技术难点二;PECVD技术难点三;Thanks