电源的缓启动电路分析电源的缓启动电路分析.doc

NSN MWR 电源的缓启动电路原理分析 Version 1.0 Project FTFB Section File Name 电源的缓启动电路原理分析 Pages  NUMPAGES \* MERGEFORMAT 10Document Number: MWR-HW-XXXX-XX Revision: 1.0 Date:  DATE \@ yyyy-M-d 2017-4-18Process Owner: songchangjiangGroup:  Rev.DateECO#Originated byHistory1.02009-10-10Song changjiang Created Page:  PAGE \* MERGEFORMAT 10 of  NUMPAGES 10 在电信工业和微波电路设计领域，普遍使用MOS管控制冲击电流的方达到电流缓启动的目的。MOS管有导通阻抗Rds_on低和驱动简单的特点，在周围加上少量元器件就可以构成缓慢启动电路。虽然电路比较简单，但只有吃透MOS管的相关开关特性后才能对这个电路有深入的理解。 本文首先从MOSFET的开通过程进行叙述： 尽管 HYPERLINK /icquery.asp?model=MOSFET \o MOSFET货源和PDF资料 \t _blank MOSFET在开关电源、电机控制等一些电子系统中得到广泛的应用，但是许多电子工程师并没有十分清楚的理解 HYPERLINK /icquery.asp?model=MOSFET \o MOSFET货源和PDF资料 \t _blank MOSFET开关过程，以及 HYPERLINK /icquery.asp?model=MOSFET \o MOSFET货源和PDF资料 \t _blank MOSFET在开关过程中所处的状态一般来说，电子工程师通常基于栅极电荷理解 HYPERLINK /icquery.asp?model=MOSFET \o MOSFET货源和PDF资料 \t _blank MOSFET的开通的过程，如图1所示此图在 HYPERLINK /icquery.asp?model=MOSFET \o MOSFET货源和PDF资料 \t _blank MOSFET数据表中可以查到 图1 AOT460栅极电荷特性  HYPERLINK /icquery.asp?model=MOSFET \o MOSFET货源和PDF资料 \t _blank MOSFET的D和S极加电压为VDD，当驱动开通脉冲加到 HYPERLINK /icquery.asp?model=MOSFET \o MOSFET货源和PDF资料 \t _blank MOSFET的G和S极时，输入电容Ciss充电，G和S极电压Vgs线性上升并到达门槛电压VGS(th)，Vgs上升到VGS(th)之前漏极电流Id≈0A，没有漏极电流流过，Vds的电压保持VDD不变 当Vgs到达VGS(th)时，漏极开始流过电流Id，然后Vgs继续上升，Id也逐渐上升，Vds仍然保持VDD当Vgs到达米勒平台电压VGS(pl)时，Id也上升到负载电流最大值ID，Vds的电压开始从VDD下降 米勒平台期间，Id电流维持ID，Vds电压不断降低 米勒平台结束时刻，Id电流仍然维持ID，Vds电压降低到一个较低的值米勒平台结束后，Id电流仍然维持ID，Vds电压继续降低，但此时降低的斜率很小，因此降低的幅度也很小，最后稳定在Vds=Id×Rds(on)因此通常可以认为米勒平台结束后 HYPERLINK /icquery.asp?model=MOSFET \o MOSFET货源和PDF资料 \t _blank MOSFET基本上已经导通 对于上述的过程，理解难点在于为什么在米勒平台区，Vgs的电压恒定？驱动电路仍然对栅极提供驱动电流，仍然对栅极电容充电，为什么栅极的电压不上升？而且栅极电荷特性对于形象的理解 HYPERLINK /icquery.asp?model=MOSFET \o MOSFET货源和PDF资料 \t _blank MOSFET的开通过程并不直观因此，下面将基于漏极导通特性理解 HYPERLINK /icquery.asp?model=MOSFET \o MOSFET货源和PDF资料 \t _blank MOSFET开通过程  HYPERLINK /icquery.asp?m