LED晶片制程.ppt

LED芯片制程; 晶粒的制作不是确定的，更不是唯一的。选择什么样的制程与很多因素都有关，包括生产的环境、条件、成本、设备等。每种制程都有它自已的优点和缺点，如何根据企业自身的特点来选择一种质量好，成本低，损坏小的制程，是需要不断努力思考的问题。;晶粒制程;检测外延片;前工艺制程;前工艺制程的制作方法; 光刻技术是指在光照作用下，借助光致抗蚀剂（又名光刻胶）将掩膜版上的图形转移到基片上的技术。 其主要过程为：首先紫外光通过掩膜版照射到附有一层光刻胶薄膜的基片表面，引起曝光区域的光刻胶发生化学反应；再通过显影技术溶解去除曝光区域或未曝光区域的光刻胶（前者称正性光刻胶，后者称负性光刻胶），使掩膜版上的图形被复制到光刻胶薄膜上；最后利用刻蚀技术将图形转移到基片上。;光刻;光刻;光刻;光刻;蚀刻;2、干法刻蚀与湿法刻蚀相比的优缺点： 优点： 1、干法刻蚀的剖面是各向异性的，具有好的侧壁控制； 2、干法刻蚀有最好的关键尺寸的控制； 3、干法刻蚀有最小的PR脱落和粘附问题； 4、好的片内、片间以及批次间的刻蚀均匀性； 5、较低的化学制品使用和处理费的问题； 缺点：干法刻蚀的设备比较昂贵;ICP—耦合式电浆化学蚀刻机 在高真空条件下（3-30m Torr）,由改变射频偏差使电子轰击程度不同，电感耦合的射频作用在陶瓷盘上形成1011-1012ions/cm3的高密度等离子体。（等离子体轰击） RIE—反应离子蚀刻机 蚀刻速率约5微米/分钟，剖面由聚合物气体控制。 区别：RIE是单一的射频源，无法实现适当刻蚀速率下的低损伤刻蚀，工作气压高，不利于控制刻蚀形貌，等离子体密度低，无法获得高刻蚀速率。ICP是两个独立的射频源，可以实现高速率和低损伤刻蚀，工作气压低，利于控制形貌，等离子体密度高。 ?;;;;表面清洗—有机溶液清洗机（ACE→Dip IPA → QDR → Hot N2）;;;光刻胶使用正胶还是负胶，也是具有选择性的。要根据 正、负光刻胶的性质（正胶容易去掉但厚度不够，不宜用于做 剥离；负胶不容易去掉但厚度好，可以做剥离。)以及制程工艺 的方便、经济等原则来选择。 ;IPQC（In-Process Quality Control）;;IPQC（In-Process Quality Control）;IPQC（In-Process Quality Control）;IPQC（In-Process Quality Control）;后工艺制程;正规品后工艺制程;研磨、抛光、切割;研磨、抛光、切割;研磨、抛光、切割;研磨、抛光、切割;切割的方式;研磨、抛光、切割;研磨、抛光、切割;目检;点测(全点测);分选;目检、标签;2、标签(打标机); 晶粒在工艺制程中会受到各种“伤害”，所以就可能出现存在这样的那样的问题晶粒。任何的不良都可能影响到产品的质量。所以后工艺制程中涉及到了多次目检。虽然每道工序目检的重点和规范都不一样，但是在工艺的过程中，不管在做哪段工序时发现了不合格的晶粒，都应该及时的去掉。这样不仅省去了该chip进行下段工序的麻烦，更重要的是保证了产品出厂时的质量。;FQC（Finally Quality Control）