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PCB电镀-化铜
印刷线路板化铜电镀工艺及技术; ; ; ; ; ; ; ; ;SAP (半加成法)与MSAP(改良型半加成法)介绍;ABF熟化后的膜厚约在30~70μm之间,薄板者以30~40μm较常用一般双面CO2雷射完工的2~4mil烧孔,其孔形都可呈现良好的倒锥状。无铜面之全板除胶渣(Desmearing)后,其全板面与孔壁均可形成极为粗糙的外观,化学铜之后对细线路干膜的附着力将有帮助。;覆晶载板除胶渣的动作
与一般PCB并无太大差异,仍然是预先膨松(Swelling)、七价锰(Mn+7)溶胶与中和还原(Reducing)等三步。
不同者是一般PCB只处理
通孔或盲孔的孔壁区域,但覆晶载板除了盲孔之孔壁外,还要对全板的ABF
表面进行整体性的膨松咬蚀,为的是让1μm厚的化
铜层在外观上更形粗糙,而令干膜光阻与电镀铜在大面积细线作业中取得更好的附着力。;ABF表面完成0.3-0.5μm化学铜之后即可进行干膜光阻的压贴,随后进行曝光与显像而取得众多线路与大量盲孔的镀铜基地,以便进行线路镀铜与盲孔填铜。;咬掉部份化铜后完成线路;此六图均为SAP 3+2+3切片图;左上为1mil细线与内核板之50倍整体画面。中上为200倍明场偏光画面,右上为暗场1000倍的呈现,其黑化层清楚可见。左下为1000倍常规画面,中下为200倍的暗场真像。右下为3000倍ABF的暗场画面,底垫为1/3oz铜箔与厚电镀铜,铜箔底部之黄铜层以及盲孔左右之活化钯层与化铜层均清晰可见。;传统的 PTH;;;工艺流程 –
溶胀;;溶胀 –
溶胀之前 (0 秒);溶胀 –
溶胀150 秒之后
;溶胀 –
溶胀240秒之后
;工艺流程 –
碱性高锰酸盐蚀刻;;高锰酸盐蚀刻 –
溶胀之后 – 不经过蚀刻;高锰酸盐蚀刻 –
150 秒蚀刻之后;高锰酸盐蚀刻 –
240 秒蚀刻之后
;;;高锰酸盐蚀刻 –
还原;;;钻孔之后;通孔 –
去钻污之后;Ajinomoto Bare Laminate – Ajinomoto 裸树脂板
去钻污之前;Ajinomoto Bare Laminate – Ajinomoto裸树脂板
去钻污之后;Ajinomoto Bare Laminate – Ajinomoto裸树脂板
去钻污之前;Ajinomoto Bare Laminate – Ajinomoto裸树脂板
钻污之后;钻孔之后;去钻污之后;钻孔之前;去钻污之后;;* 可选;工艺流程 –
清洁 调整;清洁/调整 –
树脂表面和铜表面的前处理;工艺流程 –
清洁 调整;清洁调整 –
玻璃表面的前处理;调整 –
表面前处理;;;工艺流程 –
微蚀清洁;微蚀清洁 –
蚀刻及粗化铜表面;经过去钻污处理后;微蚀清洁 –
过硫酸钠的机理;表面结构形貌 –
微蚀清洁剂 Securiganth 过硫酸钠 (SPS);微蚀清洁 –
微蚀清洁剂 Securiganth C 的机理;表面微观形貌 –
微蚀清洁剂 Securiganth C;工艺流程 –
活化/催化;工艺流程 –
活化/催化;活化/催化 –
通孔及盲孔表面的活化;特征及优点 –
Neoganth Activator 系列 vs. 胶体钯系列 (Black Seeder);;;;;工艺流程 –
还原;还原–
还原的钯种在表面上;钯还原 - Neoganth Reducer WA
化学反应 – Dimethylaminoborane (DMAB);工艺流程 –
化学铜;化学铜沉积 –
通孔及盲孔的沉积;化学铜沉积 –
主反应;化学铜沉积 –
阴极反应 ;化学铜沉积 –
反应 I;化学铜沉积 –
副反应;化学铜沉积 –
反应 II;化学铜沉积 –
副反应;;滴定 –
自动滴定分析仪;;工艺流程 –
电镀铜;; 极少量的钯吸附在铜表面
适用于各种工艺
可适用于水平或垂直的应用
工作范围宽
使用可生物降解的络合剂,废水处理更容易
高速中等厚度的化学铜; 使用离子钯体系
可利用胶体钯做为活化系统
能达到最高的可靠性指标
适用于大多数的基材
可靠性高
较好的调整-活化/催化系统
无??起泡”
药液易于监控及自动补加;环保;酸铜电镀工艺;;电镀前处理 微蚀;
电镀前处理 微蚀;
电镀前处理 酸浸;酸铜电镀
;
垂直镀铜电镀反应;电镀铜药水;电镀铜药水;电镀铜药水;电镀铜药水;电镀铜药水;电镀铜药水;电镀铜药水;电镀铜药水;电镀铜药水;电镀铜药水;电镀铜药水;镀铜流程
阳极和阴极有效电镀面积计算;镀铜流程
--- CVS 分析添加剂浓度;
深镀能力
延展性和抗拉强度
电镀铜分布
热冲击
;镀铜流程---
通孔电镀深镀能力测量方法
;镀铜流程---
盲孔电镀深镀能力测量方
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