东南大学 专用集成电路(专集) 期末考试复习习题集.pdfVIP

一 275 2.1 某IC芯片面积为5×5 mm 2，生产中采用6英寸硅片，假定生产的 成品率为25%，每个硅片的加工成本为200美元，每个芯片的封装 费用为0.75美元，请按上述条件估算合格电路的生产成本。(已知 1英寸=2.54cm) 解： 一个硅片的总面积： S ? ?R 2 ? 3.14159?(6? 2.54 / 2)2 ? 182.4cm2 ? 18240mm2 一个硅片可以生产的芯片数： c ? (18240mm2 ? 25mm2 )? 25% ? 182.25 每个芯片的生产成本： (200 ?182) ? 0.75 ? 1.85 美元 276 2.2 图2.10版图中，若P管的L/W=8，N管的L/W=1/3，试用表2.3给 出的? 设计规则，求P阱左边缘与P+区右边缘的最小距离d。 d d6 d d1 10 d d9 d3 5 d4 d8 d2 d 7 d11 PMOS管 NMOS管 图2.10 版图设计示例 277 解： d1由设计规则2.5确定: 2.5 P阱内N+区与P阱边缘最小距离 2λ d1 ? 2? d2 是左边NMOS管的栅宽，栅长受多晶硅宽度限制， 由设计规则3.1: 3.l 多晶硅最小宽度 2λ 由设计要求： N管L/W=1/3, 对应N管宽度: d 2 ? 3L min ? 6? 278 d3 由设计规则2.5确定: 2.5 P阱内N+区与P阱边缘最小距离 2λ d3 ? 2? d4由设计规则2.3确定: 2.3 N型衬底内P+区与P阱边缘最小距离 6λ d4 ? 6? 由设计规则 确定 d5 6.6 : 6.6 有源区对接触孔的最小覆盖 λ d5 ? ? 279 由设计规则6.1确定: d6 6.1 接触孔最小面积(方形) 2λ×2λ d6 ? 2? d7 由设计规则6.4确定: 6.4 接触孔与多晶硅栅最小距离 2λ d7 ? 2? d8 对应PMOS管的栅长， PMOS管L/W=8，由设计 规则2.1确定: 2.1 有源区最小宽度 2λ d 8 ? 8W min ? 16 ? 280 d9 由设计