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三凝固动力学选编
本章内容:
1 自发形核
形核功;形核速率
2 非自发形核
形核功;形核速率
3 固液相界面结构
4 晶体生长方式;三 凝固动力学;临界晶核半径:
最大形核功:
临界晶核表面积:
所以:;2 自发形核温度的确定
为了达到最大的过冷度,获得自发形核的温度,必须
将夹杂清除,将液体分成极小的微滴可使微滴中的数
目极少,这样凝固液滴数目最大的过冷度,就是自发
形核的过冷度。??????????;3 形核速率
形核速率是单位体积中单位时间内形成的晶核的数
目。临界晶胚可以长大也可以减小,以减小系统的的
吉布斯自由能,只有维持长大的晶胚才被称之为晶核
为此,形核速率可表示为:
混合后的系统与只有单
个液相原子的系统吉布斯
自由能差为:
为形成一个晶胚吉布
斯自由能的变化.;
令 可得临界尺寸
的晶胚数为:
原子向晶胚上的吸附速度:
原子吸附频率:
临界晶胚表面上能够吸附原子
的位置密度:
由以上各式代入可得 :;形核速率I包含有两个指数
项,一项与晶胚数有关,
另一项与原子扩散有关。
它们均随温度变化而变化
。;二)非自发形核
1 形核功及形核速率
在液相中那些对形核有催化作用的现在成的界面
形成的晶核称之为非自发形核。
晶核形成前后
的界面能变化为:;晶核形成前后体积吉布斯自由能的变化为:
因此,在形核时总的吉布斯自由能变化为:
临界半径:
非自发形核功:
非自发形核功与自发形核功之比:;当 时, ,此时在无过冷的情况下即可形核
当 时, ,此时非自发形核不起作用。
润湿角的大小直接影响着非自发形核的难易程度。润湿角越小,夹杂界面的形核能力越高。;三 固液相界面的结构
1 固液相界面吉布斯自由能
晶核形成后,晶体的进一步长大,受着原子向固液界附着的动
力学条件的影响。晶体长大后的形貌,主要取决于固液界面原
子尺度的特殊结构,这种结构与固液两相在晶体结构及结合键
力上的差别密切相关。
材料在结晶形貌上长大的两类方式:
非小晶面长大:
小晶面长大:;非小晶面宏观上是光滑的,但微观上原子排列是粗糙
的,非小晶面又称为粗糙界面;小晶面宏观上是粗糙
的,但原子在微观排列上是光滑的,小晶面又称为光
滑界面。在非平面生长条件下,非小晶面将生长成光
滑的树枝,小晶面将生长成有棱角的晶体。; 究竟哪类物质属于非小晶面长大,哪类物质又是小
晶面长大,这要取决于他们的熔化熵值,为此,需首
先从固液界面吉布斯自由能方面进行讨论。
给出固液界面相对吉布斯自由能变化与界面上沉积原
子几率的关系:
式中:;固液界面的形态总是力图使其界面吉布斯自由能最低
,这样的状态才是最稳定的。微分后:
1) 时, 在
时有一个最小值。
2) 时,在x值接近于0或
1的地方 有最小值。
3)a 非常大时, 的最小值在
近于1或0的地方出现。
在 时, 在界面原子位
置有50%被沉积时最小,也就是说
有一半原子位置被沉积时,其自由
能最小,此时的界面形态被称为
粗糙界面。 ;四)晶体生长方式
固液相界面的结构不同,晶体长大的方式也不一样,长大机制
可归纳为:①连续长大②侧面长大。
侧面长大又因原子台阶来源不同可分为:①二维晶核台阶②晶
体中的缺陷形成的台阶。;1 连续长大
这种长大中,界面的向前推进主要是原子随机地,连续不断地
在界面上附着。由古典的速度理论来描述这种长大:
为一个原子从液相过渡到固相所需
要越过的能垒,原子越过这一能垒的
频率为:
原子由固态转为液态时的频率为:
只有当一个原子由液态变为固态的频
率大于由固态变为液态的频率时,长
大才能时行,为此原子由液相穿过界
面向晶体净跳跃的频率为:
;式中:
代入到前式得:
晶体的长大速度为:
从扩散的角度来衡量原子越过固液界面的能垒跳向固
相的频率可得:
故:;2 二维晶核台阶长大
这种长大方式属于光滑界面的侧面长大方式。如图3-33,界面
向前推进的速度为:
把这种关系运用到二维晶核的长大上,假设在晶体平面上形成
二维晶核,如图3-34。界面长大速度为:;形核速率:
应该指出的是,撞击到二维晶核台阶上的原子,除直接来自液
体金属外,还会有其它原子通过表面扩散落到台阶两侧的可能
性,这样对于曲率半径为无穷大的台阶,其增长速度就为单向
扩展的三倍即:
对于散开式界面,如右图所示:
取g为散开系数,经过修正后的长
大速度为:
;二维晶核长大速度与过冷度的关系如图3-36所示,它与三维均
质形核率
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