相控阵外文翻译.docx

杭州电子科技大学 毕业设计（论文）外文文献翻译 毕业设计（论文）题目400M波段近场相控阵天线研究翻译（1）题目相控阵和雷达技术的突破翻译（2）题目发射KU-波段的相控阵天线在FSS通信系统中的应用学 院电子信息学院专 业姓 名胡智慧班 级学 号指导教师 英文译文1： 相控阵和雷达技术的突破 【摘要】 许多人认为雷达是一个成熟的领域，不会发生任何新的变化，这种看法存在很久了，没有比这个看法更错误的了。当我1950年参与到雷达领域的时候，我也有过同样的看法，例如，我认为麻省理工学院的雷达丛书已经是包罗万象了，不需要增加任何新的内容。然而我是多么的错啊，从那时起雷达技术领域中已经发生了许多令人眼花缭乱的发展，雷达一直受益于Moore s定律和许多新的技术上的成果，例如，MMIC GaAs T／R组件和相控阵组件。现在雷达技术发展得更快了，在这篇文章里，我将给出某些最近突破的例子。 【关键词】 雷达；有源相控阵；MMIC；MEMS；T／R组件；相控阵；AESA；电扫；GaAs；GaN；SiC；CMOS；数字波束形成；自适应阵列；旁瓣对消器；超宽带天线；金属材料；电子管；真空电子器件；回旋管；磁控管；速调管；行波管；微波功率组件；MPM；功率放大组件；SBX；GBR—P 0：SEA-BASED X-波段雷达 24层楼高的SEA-BASED X-波段相控阵雷达是一个世界奇迹。 1：GaAs MMIC T／R模块（单片微波集成电路） 在过去的十年成功和广泛的应用了MMIC和AESA(有源电子扫描阵) 2：低成本 ￥19K AESA 谁说AESA是非常昂贵的，在DARPA（Defense Advanced Research Projects Agency美国国防部先进研究项目局）的低资金￥19K资助下使35GHZ相控阵成为可能。DARPA已经资助发展了￥10 X-band,10’smW,单T/R芯片模块。 3：低成本的MEMS(微机电系统)相控阵 即使我们只有一个低损耗的移相器，那么就能够用在一个模块上安装很多的移相而MEMS提供了这个可能。MEMS开关已经提高了3个数量级的可靠性，在2003年10月报道，开关寿命已经达到6000亿.这还有降低损耗的需要，通过4位移相器用RADANT透镜在1维空间扫描的天线损耗是1.25dB.2维扫描需要2个镜头，所以2维的RADANT阵列扫描对于2路的损耗就是5Db,但是正在取得进展。 4：GaN(氮化镓，属第三代半导体材料)，SIC(碳化硅) 宽禁带的GaN和SIC MMIC 芯片，使，在T/R模块电源上提高1-2个数量级，成为可能。这项技术将有可能在未来通过升级现有的AESA替换GaAs T/R 组件或SIC T/R与GaN模块，提高10倍电源。这个提供了10倍的改善在有哪些信誉好的足球投注网站整个或者78%轨道范围中。 5：SiGe SiGe具有使用Si为基质的优势，对集成电路产业的技术，其丰富的资源，可以借鉴。它以较低的成本提供了较高的性能潜能。SiGe 在微波输出功率和噪声系数与GaAs竞争中没有优势。它提供了低成本和在单芯片上整合多种功能的能力。在一个芯片上可以增加微波功率放大器和低噪声的数字接收机也可以是增加A/D和数字电路。 6：CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor互补金属氧化物半导体) 目前CMOS主要用在微波频率，它也使用在Si基材，这个技术还广泛使用在计算机产业。它拥有低成本的保证，低功耗的T/R模块接收组件。像SiGe它有允许许多功能集成在一块芯片上的优势，甚至超过SiGe.一块芯片上可以有射频，中频基带，微处理器，内存。可调谐滤波器和A/D转换系统在SOC（系统集成芯片）上。它可由GaAs或者GaN结合制作出微波功率放大器和低噪声的数字接收机。利用GaN有足够强大到不受限制的优势。 7：数字波束形成（DBF） DBF是被应用在微波AESAs雷达，我们看到它被用的越来越广泛；和模拟波束形成有许多明显的优势。对于目前正在实施的大型阵列是指数组的水平，但最终还是会在元素级别上进行。这样做消除了模拟硬件相结合，模拟下变频和所有与他们相关的错误。反过来这将导致超低副瓣。这将允许多种光束指向不同方向的实现，它将能够在同一时刻用天线的不同部分实行不同的应用程序。它允许在降低3dB发射功率的情况能够有哪些信誉好的足球投注网站。现在，随着摩尔定律规律的不断前进，由于增加信号处理所需的成本远远小于减少3dB发射功率的获得成本。DBF能够减少有哪些信誉好的足球投注网站占用的空间（1/2），并且有哪些信誉好的足球投注网站精度能达到40%。DBF也将允许更好的自适应阵列进程。事实上，一个完全的自适应阵列与没有它的计算和瞬间处罚是一样可以实现的。这可以