半导体物理与器件课件分解.ppt

半导体物理与器件;原子结构;硅原子结构;泡利不相容原理;电子共有化运动;电子共有化运动;电子共有化运动：能带形成;能带概念;能带图;能带概念;导体、半导体、绝缘体的能带的差异：禁带宽度极大的不同。;二半导体中的杂质;本征半导体;载流子复合;载流子复合;施主能级;施主能级;受主能级;受主能级; 施主杂质和受主杂质的补偿作用。;半导体中杂质的补偿;费米能级EF ：衡量半导体掺杂水平―――电子填充水平高低的标志。 ;;载流子运动方式;;载流子迁移率;;常温下载流子的迁移率;;;;载流子寿命的概念;;;;;半导体的界面态和表面态;;非平衡载流子的扩散运动;非平衡载流子的扩散;：;;;爱因斯坦方程;半导体体内可能存在的4种电流;;1.2 半导体二极管; 二极管按结构分三大类：;(3) 平面型二极管;;两种不同杂质分布的PN结;;PN结两边的掺杂浓度;PN结两边未接触时的能带图;PN结能带图;少子在PN结两边的分布;PN结的正反向接法; 根据理论分析：;;;;;;雪崩击穿;;隧道击穿;隧道击穿;隧道击穿能带图;;固体的功函数;;;;;;;;;肖特基二极管结构;;;;;;;;霍尔电压测试示意;;通过测出霍尔系数和电导，可求出载流子迁移率;;;一.BJT的结构;二． BJT的内部工作原理（NPN管）;; （1）因为发射结正偏，所以发射区向基区注入电子 ，形成了扩散电流IEN 。同时从基区向发射区也有空穴的扩散运动，形成的电流为IEP。但其数量小，可忽略。 所以发射极电流I E ≈ I EN 。;; BJT的特性曲线（共发射极接法）;; (2)输出特性曲线 iC=f(uCE)? iB=const ; 输出特性曲线可以分为三个区域: ; BJT的主要参数; 2.极间反向电流; 3.极限参数; （3）反向击穿电压;晶体管的基极电阻rb、输入正向压降VBES、饱和压降VCES ;;; PN结的电容效应;(2) 扩散电容CD;;;;截止频率的计算;;;; 极限参数; 反向击穿电压;;;;;;;;;;;;;;（3）特性曲线; ②转移特性曲线： iD=f(uGS)?uDS=const;; 一个重要参数——跨导gm：; MOS管的主要参数;