半导体制造流程分解.ppt

半导体制造工艺流程;半导体相关知识;半 导体元件制造过程可分为;一、晶圆处理制程 ;二、晶圆针测制程 ;三、IC构装制程 ;半导体制造工艺分类;半导体制造工艺分类;半导体制造工艺分类;;双极型集成电路和MOS集成电路优缺点;半导体制造环境要求;半 导体元件制造过程;典型的PN结隔离的掺金TTL电路工艺流程;横向晶体管刨面图;纵向晶体管刨面图;NPN晶体管刨面图;1.衬底选择;第一次光刻—N+埋层扩散孔;外延层淀积;第二次光刻—P+隔离扩散孔;第三次光刻—P型基区扩散孔;第四次光刻—N+发射区扩散孔;第五次光刻—引线接触孔;第六次光刻—金属化内连线：反刻铝;CMOS工艺集成电路;CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例;CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例;CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例;CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例;CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例;CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例;CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例;CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例;CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例;CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例;CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例;CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例;CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例;集成电路中电阻1;集成电路中电阻2;集成电路中电阻3;集成电路中电阻4;集成电路中电阻5;集成电路中电容1;集成电路中电容2;主要制程介绍;矽晶圓材料（Wafer）;一般清洗技术;光 学 显 影 ;蝕刻技術（Etching Technology）;常见湿法蚀 刻 技 术 ;CVD化學气相沉積;化學气相沉積 CVD ;化 学 气 相 沉 积 技 术;物理气相沈積（PVD）;解 离 金 属 电 浆（淘气鬼）物 理 气 相 沉 积 技 术;离子植入（Ion Implant）;化 学 机 械 研 磨 技 术 ;制 程 监 控;光罩检测（Retical检查） ;铜制程技术;半导体制造过程;1 晶片切割（Die Saw）;2黏晶（Die Bond）;3銲線（Wire Bond）;4封膠（Mold）;5剪切/成形（Trim /Form）;6印字（Mark）;7檢驗（Inspection） ;8封　　 装 ;硅器件失效机理;典型的测试和检验过程;1。芯片测试（wafer sort） 2。芯片目检（die visual） 3。芯片粘贴测试（die attach） 4。压焊强度测试（lead bond strength） 5。稳定性烘焙（stabilization bake） 6。温度循环测试（temperature cycle） 8。 离心测试（constant acceleration）;9。渗漏测试（leak test） 10。高低温电测试 11。高温老化（burn-in） 12。老化后测试（post-burn-in electrical test）;芯片封装介绍 ;一、DIP双列直插式封装;Through-Hole Axial Radial;Through-Hole Axial Radial;Surface Mount Component (表面帖裝元件);Surface Mount Component (表面帖裝元件);Surface Mount Component (表面帖裝元件);二、QFP塑料方型扁平式封装和PFP塑料扁平组件式封装;Surface Mount Component;Surface Mount Component;BGA球栅阵列封装 ;三、PGA插针网格阵列封装;四、Surface Mount Component;五、CSP芯片尺寸封装;六、MCM多芯片模块;集成电路相关知识1;集成电路相关知识2;集成电路相关知识3;微处理器发展年表; 90纳米对半导体厂商来说，是更加尖端的技术领域，过去工艺都以“微米”做单位，微米(mm)是纳米(nm)的1000倍。我们常以工艺线宽来代表更先进的半导体技术，如0.25微米、0.18微米、0.13微米，0.13微米以下的更先进工艺则进入了纳米领域。;;Best Wish For You