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电路基础与集成电子技术—4.3半导体二极管.pptVIP

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电路基础与集成电子技术—4.3半导体二极管

4.3 半导体二极管 4.3.1 二极管的结构类型 4.3.2 二极管的伏安特性曲线 4.3.3 二极管的参数 4.3.4 二极管的模型 4.3.5 二极管的典型应用 ;4.3.1 二极管的结构类型;4.3.1.2 面接触型二极管;(c)平面型;4.3.2 二极管的伏安特性曲线;图 4.3. 3 二极管伏安特性曲线的正向区; 硅二极管和锗二极管的反向特性有所不同。硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡,反向饱和电流很小; 锗二极管的反向击穿特性比较软,过渡比较圆滑,反向饱和电流较大。 ;4.3.3 二极管的参数; (3) 反向电流IR ——在室温下,在规定的反向电压下,一般是最大反向工作电压下的反向电流值。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级;锗二极管在微安(?A)级。;二极管的动态电阻rd的求解;(6) 二极管的温度特性; 图 4.3.6 温度对二极管伏安特性曲线的影响;4.3.4 二极管的模型 ;3. 折线化模型;4. 低频交流小信号模型; 4.3.5 二极管的典型应用 4.3.5.1 单相半波整流电路 ; 在整流电路中,二极管采用开关模型:当二极管反偏时截止,电流等于0,其两端电压等于-U2;当二极管正偏时饱和导通,其两端电压等于0。; U2正半周,VD导通,有半波脉动电流流过负载; 单相桥式整流电路利用变压器的一个绕组和四个二极管获得全波整流的输出效果,因为在电路中采用了四个整流二极管,搭接成桥式结构,所以称为单相桥式整流电路。 ; 在交流输入电压u2的正半周内,整流二极管VD1、VD3导通, VD2、VD2截止。电流流向如图4.3.8所示,在负载上产生“上正下负”的输出脉动电压。 ; 在交流输入电压u2的负半周内,整流二极管VD2、VD4导通, VD1、VD3截止。电流流向如4.3.8图所示,在负载上产生“上正下负”的输出脉动电压。 ; 4. 桥式整流电路的波形分析; 5. 输出电压的平均值;例4.2:用试分析图4.3.9电路,计算调节电位器的输出端对地的电压范围。;例4.3:在图4.3.10所示的硅二极管电路中,输入交流信号的有效值Ui=6mV,问输出交流电压的有效值Uo=?。设电容器的容量足够大,对交流信号的压降可忽略不计,可视为短路。; 直流分析时只考虑直流电压源的作用,此时电容相当于开 路,??可以得到图4.3.11(a)所示的直流通路。用二极管的固定 正向压降模型很容易得到:; 直流分析时只考虑直流电压源的作用,此时电容相当于开 路,则可以得到图4.3.11(a)所示的直流通路。用二极管的固定 正向压降模型很容易得到:

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