第1章半导体基础和2极管.pptxVIP

第1章 半导体基础和二极管;半导体基础和二极管;重点和难点;1.1半导体的基本知识;本征半导体结构;本征半导体中的两种载流子; 外电场作用下，电子和空穴均能参与导电。;杂质半导体;N型半导体结构示意图;P型半导体 在四价硅或锗的晶体中掺入少量的三价元素,如硼,则形成P型半导体。 ;P型半导体结构示意图;PN结; 由于载流子的浓度差，P区的空穴向N区扩散，N区的电子向P区扩散。这种由于浓度差引起的运动称为扩散运动。 随着扩散运动的进行，N区出现正离子区，P区出现负离子区，这个不能移动的电荷区叫空间电荷区。因没有载流子，也叫耗尽层、势垒区、阻挡层。;室温下，内电场建立的电位差：硅：（0.6-0.8）V 锗：（0.1 -0.3）V;PN结特性;内电场方向;;PN结的单向导电性;PN结的伏安特性及其表达式;PN结的击穿特性;齐纳击穿：在参杂浓度高的情况下，不大的反向电压可以在耗尽层产生很强的电场，直接破坏共价键，形成电子-空穴对，导致电流急剧增加。硅材料一般在4V以下。 雪崩击穿：参杂浓度低，当反向电压比较大时，耗尽层中的少子加快漂移速度，撞击共价键，形成电子-空穴对，新的电子和空穴在电场的作用下加速运动，撞出新的价电子。载流子雪崩式倍增，导致电流急剧增加。一般在7V以上。 在4 ～7V之间，两者都有，其温度特性较好。 ;1.2半导体二极管;二极管的伏安特性; 在近似分析时，通常用PN结的电流方程描述二极管的伏安特性。 ;正向特性;反向特性;两种不同材料二极管的比较;温度对二极管的影响;二极管主要参数; 二极管的应用范围很广,它可用于整流、检波、限幅、元件保护以及在数字电路中作为开关元件等。;一、国产半导体器件型号命名方法;二极管选用原则;二极管的等效电路;理想二极管等效模型;理想二极管恒压源模型;微变信号模型;半导体二极管应用举例;;;稳压二极管;稳压二极管的伏安特性;稳压二极管主要参数;稳压二极管正常工作条件;稳压管应用电路;其他类型二极管;光电二极管 为远红外线接收管。是一种光能与电能进行转换的器件，将接收到的光的变化转换成电流的变化。;本章小结;基本要求