第3章2极管及其基本电路.pptVIP

;;二、本征半导体; 形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构。使原子规则排列，结构紧凑。;自由电子;（2）导电情况 ;1、N 型半导体 在本征半导体中掺入少量的五价元素的原子（磷或锑），取代晶体点阵中的某些半导体原子，每个施主原子提供一个自由电子。;+4;（1）杂质半导体就整体来说还是呈电中性的。 （2）杂质半导体中的少数载流子虽然浓度不高，但对温度、光照十分敏感。 （3）杂质半导体中的少数载流子浓度比相同温度下的本征半导体中载流子浓度小得多。 ;1、漂移电流 载流子在电场作用下有规则的运动-------漂移运动 形成的电流-------漂移电流 2、? 扩散电流 载流子由于浓度的不均匀而从浓度大的地方向浓度小的地方扩散所形成的电流。;;2、说明 （1）空间电荷区（耗尽层、势垒区、高阻区）内几乎没有载流子，其厚度约为0.5μｍ。 （2）内电场的大小： 对硅半导体：UD≈0.6～0.8V， 对锗半导体：UD≈0.2～0.4V （3）从宏观上看，自由状态下，PN结中无电流。 （4）当两边的掺杂浓度相等时，PN结是对称的。当两边的掺杂浓度不等时，PN结不对称。;1、PN 结正向偏置;雪崩击穿──通常发生在耗尽层的宽度较大的情况下，出现碰撞电离，产生电子的倍增效应。 齐纳击穿──通常发生在耗尽层的宽度很小的情况下，出现场致激发。 热击穿： ;①势垒电容CB ：当电压变化时，引起积累在势垒区的空间电荷的变化。;1、结构;4、半导体二极管图片;1、硅管的伏安特性 2、锗管的伏安特性 3、说明 （1）二极管的伏安特性曲线都是从坐标原点开始的。 （2）电流与电压的关系是非线性的。 （3）硅管的上升部分比锗管陡一些。 （4） 二极管正常工作时，其正向压降为： 0.6～0.8V 硅管（取0.7V） 0.2～0.4V 锗管（取0.3V）;I/mA;IS ——反向饱和电流;（1） 最大整流电流 IF;（5） 交流电阻 rD;（1）应用于直流电路的情况 ;例1、二极管电路的图解分析法：已知电路和二极管的伏安关系如图，求二极管两端的电压UD和流过二极管的电流ID。;例2、二极管半波整流，设二极管的导通电压为0V。 ;微分电路;例4、判断图中二极管是否导通，并求AB两端的电压。设二极管的导通电压为0.7V。 ;3k;例6、设图中的二极管D为理想二极管，试通过计算，判断它是否导通。 ;例7、设图中的二极管D为理想二极管，已知ui(t)的波形如图，在0t5ms的时间间隔内，试绘出uo(t)的波形。 ;例8、设图中的二极管D为理想二极管，求uo(t)与ui(t)的关系－传输特性;;3、稳压二极管的应用举例1;3、稳压二极管的应用举例2;电路元件参数的选择;二、肖特基二极管（Schottky Barrier Diode——SBD）;三、变容二极管;五、发光二极管;P97 3.4.2, 3.4.6, 3.4.10;第3章 结束