江璐微电子实验一解说.doc

 PAGE \* MERGEFORMAT 1 微电子器件与电路实验报告 姓名江璐学号1315212017合作人无实验时间2015.11.12实验成绩教师签名 实验名称实验一 二极管电学特性仿真验证实验实验设备(1)计算机 (2)Multisim 12实验目的1.各种类型的二极管的IV特性测试 2.各种类型的二极管正向导通电压随温度漂移特性测试 3.齐纳二极管反向击穿电压随温度漂移特性测试 4.各种二极管的CV特性曲线测试实验内容1.普通二极管、齐纳二极管、肖特基二极管、LED二极管IV特性分析 2.普通二极管、齐纳二极管、肖特基二极管正向导通电压随温度漂移特性分析 3.齐纳二极管反向击穿电压随温度漂移特性分析 4.普通二极管、肖特基二极管、变容二极管CV特性分析实 验 报 告 要 求1. 实验前按要求阅读器件说明文档，阅读实验操作文档，熟悉实验过程及操作步骤 2. 按实验报告要求操作、记录数据(波形)、处理数据(波形)实 验 记 录：实验1.1 二极管IV特性分析(IV分析仪) 1N4001普通二极管、1N4728A稳压二极管、1N5817G肖特基二极管、LED蓝灯(LED_blue)的正向导通电压及反向击穿电压，及IV特性波形记录 实验1.2 二极管IV特性分析 1N4001普通二极管、1N4728A稳压二极管、1N5817G肖特基二极管正向偏置下指定电流下的二极管偏压及IV特性曲线 实验1.3 二极管正偏电压随温度漂移特性 1N4001普通二极管、1N4728A稳压二极管、1N5817G肖特基二极管在1mA恒流驱动下，二极管正向导通电压随温度漂移特性及波形记录 实验1.4 齐纳二极管反向击穿电压随温度漂移特性 1N4728A，1N4733A，1N4743A在10mA恒流驱动下，反向击穿电压随温度漂移特性及波形记录 实验1.5 二极管反向偏置下CV特性 1N4001普通二极管、1N5817G肖特基二极管、BB112变容二极管反偏CV特性测试及Excell数据处理绘制CV特性曲线  微电子器件与电路实验(电子) LAB1 二极管电学特性仿真测试实验实验报告  PAGE 9  PAGE \* MERGEFORMAT 9 实验1.1二极管IV特性分析(IV分析仪) 二极管正向导通电压及反向击穿电压数据记录 表格1-1 IV分析仪分析二极管IV特性型号正向导通电压V@1mA反向击穿电压V@-1mA11N4001535.2101mV-53.0585V21N4728A493.7053mV-3.1874V31N5817G122.8217mV-19.9991V4蓝光LED3.2150V-60.9532V①将1N4001二极管IV特性曲线(IV分析仪)波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并标注正向导通电压和反向击穿电压点【波形打印出来必须清晰】 ②将1N4728A二极管IV特性曲线(IV分析仪)波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并标注正向导通电压和反向击穿电压点【波形打印出来必须清晰】  ③将1N5817G二极管IV特性曲线(IV分析仪)波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并标注正向导通电压和反向击穿电压点【波形打印出来必须清晰】 ④将蓝光LED二极管IV特性曲线(IV分析仪)波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并标注正向导通电压和反向击穿电压点【波形打印出来必须清晰】  实验1.2二极管IV特性分析(直流分析) 正向偏置状态下二极管的IV特性，并计算电流增加10倍时，二极管正向偏压的增加值 计算方法：比如0.1mA时电压为416mV,1mA时电压为535mV，电压增量为△V=119mV。 表格1-2 二极管正向偏置下IV特性型号V@0.1mAV@1mAV@10mAV@100mAV@1000mA11N4001416.315mV535.448mV654.943mV777.908mV935.587mV△V119.133mV119.495mV122.965mV157.679mV21N4728A434.609mV494.166mV553.728mV613.372mV673.829mV△V59.557mV59.562mV59.644mV60.457mV31N5817G51.334mV123.124mV202.328mV286.590mV413.441mV△V71.79mV79.204mV84.262m