集成电路制造工艺资源-林明祥编著 封面.ppt

集成电路制造工艺;第1章　绪论1第2章　硅的晶体结构和硅单晶第3章　氧化及热处理24第4章　掺杂43第5章　光刻70第6章　刻蚀84第7章　化学气相淀积101第8章　物理气相淀积125第9章　制版138第10章　金属化与平坦化160第11章　洁净技术168第12章　去离子水制备及第13章　组装工艺186;第14章　器件的可靠性211第15章　ULSI工艺总汇229;第1章　绪论1;1.1　微电子器件工艺的;1.2　集成电路的发展历史2;1.3　集成电路制造工艺实例3;1.3.1　硅外延平面晶体管;1.3.2　双极型集成电路生产;1.3.3　MOS器件工艺流程6;第2章　硅的晶体结构和硅单晶;第2章　硅的晶体结构和硅单晶;2.1　硅的晶体结构7;2.2　硅晶体中的缺陷和杂质9;2.2.1　点缺陷9;2.2.2　线缺陷10;2.2.3　面缺陷或体缺陷10;2.2.4　硅中杂质10;2.3　硅单晶体制备11;2.3.1　多晶硅的制备11;2.3.2　单晶硅的制备13;2.3.3　单晶硅性能测试16;2.4　硅单晶的加工及质量要求19;2.4.1　单晶硅的切割19;2.4.2　硅单晶片的研磨21;2.4.3　硅单晶片的倒角22;2.4.4　硅单晶片的抛光22;2.5　习题23;第3章　氧化及热处理24;第3章　氧化及热处理24;3.1　二氧化硅的结构、性质;3.1.1　二氧化硅的结构24;3.1.2　二氧化硅的性质26;3.1.3　二氧化硅的用途27;3.2　硅的热氧化28;3.2.1　热氧化原理28;3.2.2　热氧化方法31;3.2.3　热氧化设备简介33;3.3　二氧化硅生长的其他方法35;3.3.1　热分解淀积二氧化硅膜35;3.3.2　其他制备二氧化硅的方法36;3.4　二氧化硅膜质量控制37;3.4.1　二氧化硅膜的质量要求37;3.4.2　二氧化硅质量检验37;3.5　热处理40;3.5.1　退火40;3.5.2　硅化反应41;3.5.3　熔流41;3.5.4　固化41;3.5.5　快速热处理42;3.6　习题42;第4章　掺杂43;第4章　掺杂43;4.1　扩散原理及模型43;4.1.1　扩散原理43;4.1.2　扩散模型44;4.2　扩散方法46;4.2.1　液态源扩散47;4.2.2　固态源扩散49;4.2.3　箱法扩散50;4.2.4　固-固扩散51;4.2.5　其他扩散方法52;4.3　扩散层参数测量和;4.3.1　扩散薄层电阻53;4.3.2　结深(xj)计算和测量55;4.3.3　扩散中常见的质量问题57;4.4　离子注入61;4.4.1　离子注入技术的工艺特点61;4.4.2　离子注入原理62;4.4.3　离子注入设备63;4.4.4　离子注入工艺技术67;4.5　习题69;第5章　光刻70;第5章　光刻70;5.1　光刻的工艺要求70;5.2　光刻胶的组成材料及;5.2.1　光刻胶的组成材料71;5.2.2　光刻胶的配制73;5.2.3　感光原理73;5.3　光刻工艺74;5.3.1　衬底材料的检查与处理74;5.3.2　增粘处理75;5.3.3　涂胶75;5.3.4　前烘75;5.3.5　曝光76;5.3.6　显影80;5.3.7　坚膜81;5.3.8　光刻工艺流程示意图81;5.4　光刻质量分析81;5.4.1　溶胶82;5.4.2　小岛82;5.4.3　针孔82;5.5　习题83;第6章　刻蚀84;第6章　刻蚀84;6.1　超大规模集成电路对图形转移;6.2　湿法刻蚀85;6.2.1　二氧化硅湿法刻蚀86;6.2.2　铝刻蚀87;6.2.3　硅的刻蚀87;6.2.4　氮化硅刻蚀88;6.2.5　钝化膜(Poly-P)刻蚀88;6.2.6　镍铬的刻蚀88;6.3　干法刻蚀89;6.3.1　干法刻蚀的原理89;6.3.2　二氧化硅的干法刻蚀90;6.3.3　氮化硅的干法刻蚀92;6.3.4　多晶硅化金属(Polycide);6.3.5　铝及铝合金的刻蚀93;6.3.6　钨的回蚀94;6.3.7　干法刻蚀的其他用途94;6.3.8　各种干法刻蚀的比较94;6.3.9　干法刻蚀设备简介95;6.4　砷化镓的刻蚀96;6.5　去胶96;6.6　终点检测98;6.6.1　终点检测方法98;6.6.2　刻蚀的损伤99;6.7　习题99;第7章　化学气相淀积101;第7章　化学气相淀积101;7.1　化学气相淀积原理101;7.2　CVD方法及反应室103;7.2.1　常压及亚常压CVD淀积法;7.2.2　低压CVD淀积及;7.2.3　等离子体增强型淀积;7.3　SiO2、多晶硅、硅化钨、PSG、;7.4　外延109;7.4.1　外延原理110;7.4.2　外延生长工艺112;7.4.3