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模拟电子技术基础课件01—3讲义(晶体管)
总结;三、晶体管的共射特性曲线;输入特性曲线; (2)输出特性曲线:
;输出特性曲线; 发射结电压小于开启电压,且集电结反向偏置,此时 ;放大区;饱和区;当υCE增加时,集电结上加的反向偏置电压也随之增加,当υCE增加到一定电压(V(BR)CEO)时,集电结被击穿, iC突然猛增。;两个结都正偏,即
VbVe、VbVc(NPN)
VbVe、VbVc(PNP);例题1;例题2;例题3;⒈ 共射极电流放大系数β;;⒊ 特征频率fT; 集电结上允许损耗的功率最大值PCM。超过该值,管子发热,性能下降,甚至烧毁。温度越高, PCM值越小,所以晶体管的使用受到环境温度的限制。硅管的上限温度达150℃、锗管的达70℃。为了降低温度,常采用加散热装置的方法。
; V(BR)EBO:集电极开路时发射极-基极间的反向击穿电压。;五、温度对晶体管的影响;20℃;六、光电三极管;作业1-2
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