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第九讲;第九讲;第九讲;第九讲;第九讲;第九讲;第九讲;第九讲; 第九讲;工作原理： ①栅源短路时 ;;③在漏源之间加入正向电压vDS时，;④当vDS增大到一定数值时，;特性曲线 与N沟道JFET的输出特性曲线基本一致，只不过vGS变化顺序不一 样。转移特性曲线同样可以由图解的方法求得。 符号 由于感生沟道是在加入栅源电压后形成，事先并不存在，故用虚线 表示；感生沟道是N型，故箭头朝内。见教材P169(图b)。;2、N沟道耗尽型MOSFET ;工作原理 与耗尽型MOSFET类似，请同学们自己推导。 特性曲线 请同学们自己推导。 符号 由于感生沟道在vGS加入之前已经存在，故用实线表示。 感生沟道是N型，故箭头朝内。见教材P169(图c);各种场效应管的性能比较及使用注意事项 特性列表见教材P173-175. 注意事项 1.结型场效应管漏源对称一般情况下可以互换，但绝缘栅型场效应 管的源极与衬底相连，故漏源不能互换。 2.结型场效应管输入电阻约为106到109欧姆，而绝缘栅型场效应管 的输入电阻可以达到1015欧姆。 3.场效应管表面有绝缘层，电荷不容易泄放，因此焊接时电烙铁必 须外接地线，或者断电后利用余热焊接。运输过程中，尽量避免用 手接触管脚，防止静电积累而损坏器件。 ;无论是何种场效应管，他们与三极管都是对应的： 栅极相当于基极，漏极相当于集电极，而源极相当于发射极。 N沟道场效应管相当于NPN三极管； P沟道场效应管相当于PNP三极管。 所以场效应管放大电路也有三种组态：共源、共漏和共栅。 分析时，仍然采用两步进行： 1、静态分析 2、动态分析 只不过场效应管的微变等效模型的作法略有不同。见P179（b） 其中rd无穷大，可视为开路（通常可以不画）。;三极管与场效应管的比较： 1、 BJT：由IB控制IC，故称为电流控制型器件。 场效应管：由vGS控制iD，故称为电压控制型器件。 2、 BJT：自由电子和空穴均参与导电，故称为双极型器件； 场效应管：仅有一种载流子参与导电，故称为单极型器件。* * 结型场效应管：多子导电； 绝缘栅型场效应管：少子导电。