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模拟电路chapter9
第九讲;第九讲;第九讲;第九讲;第九讲;第九讲;第九讲;第九讲; 第九讲;工作原理:
①栅源短路时
;;③在漏源之间加入正向电压vDS时,;④当vDS增大到一定数值时,;特性曲线
与N沟道JFET的输出特性曲线基本一致,只不过vGS变化顺序不一
样。转移特性曲线同样可以由图解的方法求得。
符号
由于感生沟道是在加入栅源电压后形成,事先并不存在,故用虚线
表示;感生沟道是N型,故箭头朝内。见教材P169(图b)。;2、N沟道耗尽型MOSFET
;工作原理
与耗尽型MOSFET类似,请同学们自己推导。
特性曲线
请同学们自己推导。
符号
由于感生沟道在vGS加入之前已经存在,故用实线表示。
感生沟道是N型,故箭头朝内。见教材P169(图c);各种场效应管的性能比较及使用注意事项
特性列表见教材P173-175.
注意事项
1.结型场效应管漏源对称一般情况下可以互换,但绝缘栅型场效应
管的源极与衬底相连,故漏源不能互换。
2.结型场效应管输入电阻约为106到109欧姆,而绝缘栅型场效应管
的输入电阻可以达到1015欧姆。
3.场效应管表面有绝缘层,电荷不容易泄放,因此焊接时电烙铁必
须外接地线,或者断电后利用余热焊接。运输过程中,尽量避免用
手接触管脚,防止静电积累而损坏器件。
;无论是何种场效应管,他们与三极管都是对应的:
栅极相当于基极,漏极相当于集电极,而源极相当于发射极。
N沟道场效应管相当于NPN三极管;
P沟道场效应管相当于PNP三极管。
所以场效应管放大电路也有三种组态:共源、共漏和共栅。
分析时,仍然采用两步进行:
1、静态分析
2、动态分析
只不过场效应管的微变等效模型的作法略有不同。见P179(b)
其中rd无穷大,可视为开路(通常可以不画)。;三极管与场效应管的比较:
1、 BJT:由IB控制IC,故称为电流控制型器件。
场效应管:由vGS控制iD,故称为电压控制型器件。
2、 BJT:自由电子和空穴均参与导电,故称为双极型器件;
场效应管:仅有一种载流子参与导电,故称为单极型器件。*
* 结型场效应管:多子导电;
绝缘栅型场效应管:少子导电。
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