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高 等 学 校 教 材 ;研究对象;第一章 半 导 体 器 件 ;基础知识;半导体的共价键结构（Si、Ge）; 在光照和受热或通电激发、掺入杂质元素时，半导体的导电性将发生明显的改变;1.1.1 本征半导体; 共价键中的价电子由于热运动而获得一定的能量, 其中少数能够摆脱共价键的束缚而成为自由电子, 自由电子带负电，同时必然在共价键中留下空位, 称为空穴。空穴带正电。 这一现象称为本征激发.;; 按掺入的杂质元素不同,可形成N型半导体(电子型半导体)和P型半导体(空穴型半导体); (1）N型半导体;(2) P型半导体;自由电子带负电；空穴带正电;1.２ＰＮ 结 ;1) PN结外加正向电压时; ＰＮ结处于导通状态时, 它所呈现出的电阻阻值很小。 正向电压愈大, 正向电流愈大。其关系是指数关系： ;2) PN结外加反向电压时; 当外加反向电压超过零点几伏时, 少数载流子基本全被电场拉过去形成漂移电流, 此时反向电压再增加, 载流子数也不会增加, 因此反向电流也不会增加, 故称为反向饱和电流ＩＳ。;将上述电流与电压的关系写成如下通式：; PN结处于反向偏置时, 在一定电压范围内, 流过PN结的电流是很小的反向饱和电流。但是当反向电压超过某一数值(ＵＢ)后, 反向电流急剧增加, 这种现象称为反向击穿。ＵＢ称为击穿电压。  ;由于存在空间电荷区，当ＰＮ结两端加上电压, ＰＮ结内就有电荷的变化, 说明ＰＮ结具有电容效应，也称为结电容。;半导体二极管图片; 将PN结用外壳封装起来,并加上电极引线就构成了半导体二极管,简称二极管.（硅二极管和锗二极管）;正向特性:当加在二极管上的正向电压比较小时,正向电流很小，几乎等于零.只有在当二极管两端的正向电压超过某一数值时,正向电流才明显增大.当正向电压大于Uon,二极管导通；正向电压小于Uon时，二极管截止。;最大整流电流IF:二极管长期运行时允许通过管子的最大正向平均电流. 最高反向工作电压UR: UR是二极管工作时允许外加的最大反向电压,超过此值时,二极管有可能因反向击穿而损坏.UR=1/2 UB。 反向电流IR: IR是二极管未击穿时的反向电流. IR越小,二极管的单向导电性越好. 最高工作频率fM: fM是二极??工作时的上限频率.超过此值时,由于结电容的作用,二极管将不能很好的体现单向导电性.;图 1 - 16 稳压管伏安特性、符号及电路 ; 从稳压二极管的伏安特性曲线上可以确定稳压二极管的参数。; (3) 额定功耗 PZ ——; 稳压二极管在工作时应反接，电源正极接稳压管的N区，电源负极接稳压管的P区，串入一只限流电阻，并与负载并联 串联电阻的作用是起限流作用，以保护稳压管；与负载并联是当输入电压或负载电流变化时，由于稳压管两端电压变化量很小，可以使输出电压比较稳定，从而起到稳压作用。