新型微机5.ppt

存储器概述;? 了解存储器的工作原理和外部特性;5.1 存储器概述;记忆单元是一种能表示二进制“ 0 ”和“1”的状态并具有记忆功能的物理器件，如电容、双稳态电路等。一个记忆单元能够存储二进制的一位。由若干记忆单元组成一个存储单元、一个存储单元能存储一个字，字有4位、8位、16位等称之为字长，字长为8时，称一个字节。;实际上存储系统是快慢搭配，具有层次结构的，如图5.1所示。;存储器操作：;一、存储器分类;2. 外存储器( 外存);目前，存储器使用的存储介质有半导体器件，磁性材料，光盘等。一般把半导体存储器芯片作为内存。由于半导体存储器具有存取速度快、集成度高、体积小、功耗低、应用方便等优点，在此我们只讨论半导体存储器。;半 导 体 存 储 器;二、半导体存储器芯片的主要技术指标;2. 存取时间;4. 可靠性;5.2　随机存取存储器RAM; 图5.6 六管静态RAM基本存储电路;特点：; ;1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14;DRAM的基本存储电路(存储单元)有单管和四管等结构，这里仅介绍单管存储单元的结构及存储原理。;刷新放大器;特点：; ; 图5.10(a) Intel 2164 DRAM芯片引脚图; 图5.10(b) Intel 2164 DRAM内部结构框图;包含：;4.3 只读存储器(ROM);输出电路;一、掩膜ROM; 从二极管ROM和MOS ROM的介绍可知，这种存储矩阵的内容完全取决于芯片制造过程，而一旦制造好以后，用户是无法变更的。 ;3.双极型ROM电路;二、可编程ROM (PROM);图5.16 熔丝式PROM的基本存储结构;特点：;三、可擦除、可编程ROM（EPROM）;特点：; ;Intel-2764芯片是一块8K×8bit的EPROM芯片，如图所示：;;操作方式;2764中第26脚为NC，若改为A13，则为27128芯片封装图，27128是一块16K×8bit的EPROM芯片，其操作与2764相同。;四、电可擦除可编程ROM（EEPROM）;五、Flash存储器;※ 闪速存储器可实现大规模电擦除。 ;特点：;特点：;5.4 存储器与CPU的接口技术;(一) 存储器与CPU连接时应注意问题;2. CPU的时序和存储器芯片存取速度的配合;3. 存储器的地址分配和选片问题。;一般指存储器的WE、OE、CS等与CPU的RD、WR等相连，不同的存储器和CPU连接时其使用的控制信号也不完全相同。;(二) 片选信号的产生;;1. 线选法：; 另一种??用的线选法是用高位地址的每一根线去分别控制各组芯片的片选端， 如下图所示： ;芯片 A19 ~ A15 A14 A13 A12 ~ A0 一个可用的地址范围 甲 ××××× 1 0 全0~全1 04000H~05FFFH 乙 ××××× 0 1 全0~全1 02000H~03FFFH ; 全译码法中，对剩余的全部高位地址线进行译码称为全译码法。; 图5.21为全译码的2个例子。前一例采用门电路译码，后例采用3~8译码器译码。3~8译码器有3个控制端：G1，G2A，G2B，只有当G1=1，G2A=0，G2B=0，同时满足时，译码输出才有效。究竟输出(Y0~Y7)中是哪个有效，则由选择输入C、B及A三端状态决定。CBA=000时，Y0有效，CBA=001时，Y1有效，依此类推。单片2764（8K×8位，EPROM）在高位地址A19~A13=0000110时被选中。;a. 译码电路较复杂。 b. 每组的地址区间不唯一，有地址重叠。; 图5. 22所示的电路，采用部分译码对4个2732芯片（4K×8位，EPROM）进行寻址。译码时，未使用高位地址线A19、A18和A15。所以，每个芯片将同时具有23=8个可用且不同的地址范围（即重叠区）。 ;1. 8086存储器组织;图5.23 字的规则存放和非规则存放;为了实现规则存放，将8086的1MB存储空间分成两个512KB的存储体，具体为： ;5.5、存储器的扩展技术 （见5.2.3）