1-3 章習题课.pptVIP

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2017-04-23 发布于上海
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1-3 章習题课

1-3 章习题课;1、计算有效质量、禁带宽度;例1、一维晶体的电子能带可写为，式中a为晶格常数，试求 1、布里渊区边界； 2、能带宽度； 3、电子在波矢k状态时的速度； 4、能带底部电子的有效质量； 5、能带顶部空穴的有效质量；;1、由;能带宽度为;5、能带顶部 ;2、计算杂质电离能的类氢模型;3、状态密度;例题2 （同类型题103页1题）;4、费米分布函数和费米能级;例题3 （a)在热平衡条件下，温度T大于0K，电子能量位于费米能级时，电子态的占有几率是多少？ (b)若EF位于EC，试计算状态在EC+kT时发现电子的几率。 ;(c)在EC+kT时，若状态被占据的几率等于状态未被占据的几率。此时费米能级位于何处？;例题4;导带中电子分布：gc(E)f(E)dE 价带中空穴的分布：gv(E)[1-f(E)]dE;=0;5载流子浓度关系式;非简并半导体;（2）载流子浓度的乘积;例题5;(c)一块硅片在平衡条件下保持300K的温度时，其电子的浓度是105/cm3,空穴的浓度是多少？（d)在温度T=300K，样品硅的费米能级位于本征费米能级之上0`259eV 处，空穴和电子的浓度是多少？（e)非简并锗样品，在平衡条件下温度保持接近室温时，已知：ni=1013/cm3,n=2p和NA=0，求n和ND. ;（a);(d);（3）载流子浓度的计算;（B）中间电离区;N型;（D）高温本征激发区;例题5;(a);(d); 温度;;习题