第9章 发光二极管和激光器01.ppt

第9章 发光二极管和激光器;*;*;*;*;*;*;若半导体被能量hν大于Eg且光通量为Φ0（单位：每秒每平方厘米的光子数）的光源照射，当光子束进入半导体时，被吸收的光子数量与光子流的强度成正比。 因此，在距离增量Δx以内被吸收的光子数目为αΦ(x)Δx[右图]。其中α为比例常数，定义为吸收系数，由光通量的连续性可得;当x=W[右上图]时，由半导体的另一端出射的光通量为;*;*;*;LED的正向电流-电压特性类似于第3章中介绍的GaAs p-n结： 正向偏压较低，二极管电流以非辐射性复合电流为主导，主要是由LED芯片周围的表面复合引起； 正向偏压较高，二极管电流则以辐射性扩散电流为主导； 正向偏压进一步升高，二极管电流将受限于串联电阻。 二极管的总电流可以写成 ;*