“材料科学基础”作业.doc

PAGE  PAGE 21 《材料科学基础》作业（一） 1. 写出立方晶系的{112}晶面族所包含的所有晶面。 2. 在立方晶系的四面体中，画图并表示出四面体所包含的 {111} 晶面族的四组晶面。 3. (10) 和 (112) 晶面是否属于同一晶带？为什么？画图表示出晶带轴和晶带面。 4. 分别在三个晶胞中画图表示 [11] 与（110）、[11] 与（01）、（211）与 [211] 晶 向和晶面。 5. 在六方晶系中，画图表示（110）、（010）晶面及 [113] 晶向。并用三坐标系写 出其晶向指数及晶面指数。 金属的晶体结构 习题课习题(一) 图1 画出立方晶系{111}晶面族构 成的八面体的各晶面指数。 2．标出下列各晶面和晶向指数： 3．试从面心立方晶格中绘出体心正方晶 4. 试绘图说明hcp结构不是一种 胞（a = b ≠ c ,α＝β＝γ＝90o ） 空间点阵的原因。 5．求fcc结构中面间距d(111) 、d(110)、d(100)的大小，并指出面间距最大的晶面。 材料科学基础作业（三） 一．填空题 1．位错线与柏氏矢量垂直，该位错为_________ ; 位错线与柏氏矢量平行时为_______位错 。 2．无限固溶体永远是________________ ；间隙固溶体永远是_____________ 。 3．位错线在晶体内部可以_________，可以形成_______ ，但不可以中止于________。 4．NaCL和CaF2晶体各属于_________________空间点阵。 5．影响置换固溶体溶解度的因素主要有_____________________________________。 6．在面心立方结构的单胞中，碳原子可以存在位置的坐标是________________，单位晶胞内最多能有 _____个碳原子可以溶入单胞内。 7．间隙相和间隙化合物都是由原子半径较小的非金属元素和过渡族元素组成，它们的主要区别是____。 8．刃型位错在切应力的作用下可以进行_________运动；在垂直于半原子面的正应力的作用下可以进行 ____，即半原子面的_____和_____运动；正攀移机制是___________，负攀移机制为__________。 9．在切应力的作用下，当位错在晶体中滑移运动时，刃位错运动方向与b方向_____,与方向_______， 与位错线________；螺型位错线的运动方向与b________,与方向_______，与位错线方向_____。 10．可滑移面是__________，刃型位错的可滑移面??_________个，这是因为________；螺型位错的可 滑移面有_________个，因为_________________________________。 二．写出b＝[00]，位错线运动方向为 [110]位错的可滑移面，并指出是何种类型的位错？ 三．FeAL是电子化合物，具有体心立方结构，试计算其电子浓度值，并画出其晶体结构的单胞。 B P 四．AB线为一混合型位错，其位错线方向和柏氏矢量方向如图所示。 1）试画出P点处的刃型位错和螺型位错分量。 b 2）并说明是正刃还是负刃型位错及半原子面的位置？ A 3）说明是左螺型还是右螺型位错。 Y Y 材料科学基础作业（四） 1．图a）和图b）分别表示一对同号刃型位错和 30o 一对异号刃型位错。假定位于原点的刃型位错 30o 固定不动，在位错滑移力（Fx）的作用下,另一 X X 位错运动到何位置才处于稳定平衡状态？试在 图中标出，并说明原因。 图a） 图 b) 2. 画图说明在fcc结构晶体的（11）晶面上，可以运动的单位位错的柏氏矢量有哪些？ 它们相应能在哪些晶面上运动？ 3．在面心立方结构的晶体中，沿[01]晶向上有一单位位错与沿[12]晶向的一个肖克莱 部分位错反应合成一个弗兰克部分位错： 求合成后的弗兰克部分位错的柏氏矢量。 试根据能量条件分析上述位错反应能否进行。 为什么把此种位错称为固定位错？ B 4．在具有fcc结构的单晶体中有一ABC晶面，其 晶面指数为（11）： A 写出位于该晶面上柏氏矢量平行于的 C 单位位错的柏氏矢量。 若该位错是螺位错，位错在运动中受阻，将交滑移到哪一个晶面上？ 若该单位位错可在（11）晶面上分解，写出位错分解的反应式，并指出分解后的位错类型。 5．在体心立方结构晶体内的（011）晶面上有