功率型LED封装技术_刘一兵.pdf

第 23 卷 　第 4 期 液 　晶 　与 　显 　示 Vol.23 , No.4 2008 年 8 月 Chinese Journal of L iquid Cry stals and Display s Aug ., 2008 文章编号 :1007-2780(2008)04-0508-06 功率型 LED 封装技术 刘一兵1 , 2 , 丁 　洁1 , 3 (1 .湖南大学 电气与信息工程学院 , 湖南 长沙 　410082 , E-mail:liuyibing0602 @sina .com ; 2 .邵阳职业技术学院 机电工程系 , 湖南 邵阳 　422000 ;　3 .商丘职业技术学院 信息工程系 , 河南 商丘 　476000) 摘 　要 :随着 L ED 芯片输入功率 的提高 , 带 来了 大的发 热量 及要求 高的 出光 效率 , 给 L ED 的封装技术提出了更新更高的 要求 , 使 得功 率型 L ED 的封 装技 术成 为近年 来的 研究热 点 。 首先介绍了几种主要的功率型 LED 封装 ??构 , 对功率 型 LED 封 装过程 的关键 技术 , 如荧光 粉涂覆技术 、散 热技术 、取光技术 、静电防护技术等及未来发展方向进行了描述 。 指出功率型 L ED 封装应选用新的封装材料 , 采用新 的工艺 和新的 封装理 念来提 高 LED 的性 能和光 效 , 延长使用寿命 , 以推进 L ED 固体光源的应用 。 关 　键 　词 :功率型 L ED ;封装结构 ;封装关键技术 中图分类号 :T N 304.2 + .3;T N 312+ .8 　　　文献标识码 :A LED), 1994 年改进为“Snap LED” 。 后来 Osram 1 　引 　　言 公司设计推出采用金属框架的 PLCC 封装结构的 随着半导体材料和封装工艺的完善 、光通量 “Po wer TOP LED” 。 LumiLeds 公 司 1998 年推 和出光效率的提高 , 功率型 LED 已在城市景观 、 出 Luxeon LED , 该封装结构最先采用热通路和 交通标志 、LCD 背光源 、汽车照明 、广告牌等特殊 电通路分离的方案 , 将倒装芯片用硅载体直接焊 照明领域得到了广泛的应用 , 并向普通照明市场 接在热沉上 , 并采用反射杯 、光学透镜和柔性透明 迈进 。 目 前 1 W 的 功 率型 LED 已 规模 生 产 , 胶等新结构和新材料 , 取光效率高且热阻小 。美 3 W 、5 W 甚至 10 W 的大功率 LED 芯片也已相 国 UOE 公司 2001 年推出采用六角形铝板作衬底 继面世 , 并走向市场 。然而 , 随着 LED 芯片的输 入功率不断提高 , 大的耗散功率带来大的发热量 及要求高的出光效率给 LED 的封装工艺 、封装设 备和封装材料提出了更新 、更高的要求 , 我国已将 封装技术做为重点项目研究开发 。为此 , 本文将 对功率型 LED 的封装历程及关键技术进行介绍 和综述 。 2 　功率型 LED 封装结构 LED 封装的主要目的是为了确保发光芯片 和下一层电路间的电气和机械有效接触