CZT缺陷研究技术.ppt

CdZnTe单晶中的缺陷研究方法;目录;CZT光学晶体性质;CZT光学晶体及其应用;晶体缺陷对材料的影响;晶体缺陷对材料的影响;常用缺陷研究方法;;;电子束诱生电流——EBIC;电子束诱生电流——EBIC;电子束诱生电流——EBIC;电子束诱生电流——EBIC;电子束诱生电流——EBIC;电子束诱生电流——EBIC;电子束诱生电流——EBIC;;深能级瞬态谱——DLTS;en ;深能级瞬态谱——DLTS;原理;原理;深能级瞬态谱——DLTS;原理 从而有 根据陷获时动态平衡 及 ;深能级瞬态谱——DLTS;深能级瞬态谱——DLTS;应用;应用;;原理;光致荧光谱——PL;带间复合—直接带隙;自由激子复合—直接带隙 激子是电子和空穴由于库仑 相互作用而结合在一起的电 中性粒子，即束缚在一起的 电子-空穴对。 其中Eex 为自由激子电离能 ;本征带—浅杂质复合 导带电子通过禁带中的浅施主能 级与价带空穴复合，或者价带的 空穴通过浅受主能级与导带电子 复合，因而发射光子的能量要小 于禁带宽度。 但由于这些浅杂质能级的电离能 很小，当杂质浓度较大时，这些 杂质能级会并入导带或价带，其 辐射光发光有时很难和带间辐射 区分。 ;施主-受主对复合 施主能级上的电子与受主能级上的 空穴间的复合，其辐射发射光子的 能量为 ε 半导体材料的介电常数 r 进行复合的施主与受主间的距离 ;束缚激子复合 当束缚激子复合时，也会 发射光子。同自由激子相 比，束缚激子发射的光子 能量稍低，谱线宽度窄， 发光强度随着束缚中心的 浓度变化。 ;光致荧光谱——PL;光致荧光谱——PL;光致荧光谱——PL;总结