双极型器件物理-第9讲 BJT结构(西电).pdf

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2017-04-24 发布于湖北
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双极型器件物理-第9讲 BJT结构(西电)

西安电子科技大学 Physics of 微电子学院 Semiconductor Devices 双极型器件物理游海龙 XD Physics of Semiconductor device 第二章：BJT 直流特性分析 2－1 双极晶体管直流放大原理定性分析 2－2 双极晶体管直流I－V特性的定量分析 2－3 影响双极晶体管直流放大系数的实际因素微电子学院 PSpice及其基本功能.2 XD Physics of Semiconductor device 2－1 双极晶体管直流放大原理定性分析 1 BJT结构与制造工艺 2 BJT电流传输过程 3 直流电流放大系数 4 BJT电流放大能力微电子学院 PSpice及其基本功能.3 XD Physics of Semiconductor device 2.1.1 BJT Basics ?1.BJT Structure 微电子学院 PSpice及其基本功能.4 XD Physics of Semiconductor device 1.BJT Structure ?BJT Basic Structure 微电子学院 PSpice及其基本功能.5 XD Physics of Semiconductor device 1.BJT Structure B E B 发射区: 20 ?3 ? x N ? 10 cm 0 n je E x jc x ? 1.2?m p je wb ~ 5?m 基区: 17 ?3 wc N B ? 10 cm n x jc ? 2.0?m ? (1019 ~ 1020 )cm ?3 ~ 200?m n 集电区 x : 15 ?3 C N C ? 10 cm 分立的平面工艺 npnBJT的横界面图微电子学院