模拟电子技术习题学案.doc

习题 第一章 半导体器件基础习题 1、PN结加正向电压时，空间电荷区将___A____。 A、变窄 B、基本不变 C、变宽 D、不能确定 2、如下图，二极管D是理想的，R=2KΩ，流过电阻的电流I=__A___。 A、5mA B、0mA C、10mA D、不能确定 3、三极管的发射结和集电结均处于正偏的情况下，则属于： Ａ、死区 Ｂ、截止区 Ｃ、放大区 Ｄ、饱和区 4、温度升高时，三极管的放大系数?： A.增大 B.减小 C.不变 D.无法判断 5、工作在放大区的某三极管，当IB从20uA增大到40uA时，IC从1mA变成2mA，则它的?值为： A．10 B.50 C.100 D.500 6、某三极管的发射极电流等于1mA，基极电流等于20uA，则集电极电流等于（） Ａ.0.98 mA Ｂ.1.02 mA Ｃ.0.8 mA Ｄ.1.2 mA 7、半导体中，参与导电的载流子有____C___。 A、电子 B、空穴 C、电子和空穴 D、不能确定 8、___C_____能将电信号转换为光信号。 A、稳压二极管 B、阻尼二极管 C、发光二极管 D、整流二极管 9、本征半导体中，自由电子的浓度___C___空穴的浓度。 A、大于 B、小于 C、等于 D、不能确定 10、太阳能电池是利用半导体的 B 。 A、热敏性 B、光敏性 C、参杂性 D、以上都是 11、N型半导体带电性为 C 。 A、正电 B、负电 C、中性 D、无法确定 12、N型半导体中的多数载流子是： A．电子 B.空穴 C.正离子 D.负离子 13、本征半导体中掺入五价元素后成为： A．本征半导体 B.N型半导体 C．P型半导体 D.无法确定 14、PN结未加外部电压时，扩散电流（）漂移电流。 A.大于 B.小于 C．等于 D.无法判断 15、硅二极管的导通电压为： A．0.7V B.0.1V C．0.3V D.0.5V 16、稳压二极管稳压时，其工作在： A．死区 B.正向导通区 C. 反向截止区 D.反向击穿区 17、三极管电流放大作用的外部条件是： Ａ、发射结加反向电压，集电结加反向电压 Ｂ、发射结加正向电压，集电结加反向电压 Ｃ、发射结加正向电压，集电结加正向电压 Ｄ、发射结加反向电压，集电结加正向电压 18、半导体三极管是一种（ ）器件。 A、电流控制电流 B、电流控制电压 C、电压控制电压 D、电压控制电流 19、 杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ ）。 A、电压 B、温度 C、输入 D、杂质浓度 20、 PN结反向偏置时，空间电荷区（ ）。 A、不变 B、变窄 C、变宽 D、不能确定 21、二极管的最高反向工作电压是75V，则它的击穿电压是________。 A、50V B、100V C、150V D、200V 22、 在本征半导体中，自由电子浓度________空穴浓度。 A、大于 B、小于 C、等于 D、不等于 23、 PN结的主要特性（ ）。 A、单向导电性 B、双向导电 C、正偏 D、反偏 24、稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A、正向导通 B、反向截止 C、反向击穿 D、无法确定 25、下面不属于模拟信号的是 D ？ A、压力 B、温度 C、流量 D、人数 26、某放大电路中，晶体管三个电极的电流如下图所示，测出I1=1.8mA，I2=0.03mA，I3=－1.83mA，由此可知对应电极③是_____A___。 A、发射极 B、基极 C、集电极 D、不能确定 27、双极型晶体管BJT具有放大作用的外部条件是_____D__。 A、发射结正偏，集电结正偏 B、发射结反偏，集电结反偏 C、发射结反偏，集电结正偏 D、发射结正偏，集电结反偏 28、NPN型双极型晶体管工作在放大状态时，各极电位关系为UC________UB________UE。A A、 B、 C、= D、 29、当双极型晶体管发射结和集电结都正偏时，双极型晶体管处于______B__。 A、截止状态 B、饱和状态