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4_光学解析_原子发射光谱5.pptVIP

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4_光学解析_原子发射光谱5

第四章 原子发射光谱分析 (Atomic Emission Spectroscopy,AES);原子发射光谱的产生过程: 1)能量(电或热、光) 基态原子 2)外层电子(outer electron) (低能态E1 高能态E2) 3)外层电子(低能态E1 高能态E2) 4)发出特征频率(?)的光子: ?E = E2-E1 = h? =hc/? ;AES 定性原理 由于原子或离子的能级很多并且不同元素的结构是不同的,因此对特定元素的原子或离子可产生一系不同波长的特征光谱,通过识别 待测元素的特征谱线存在与否进行定性分析—定性原理。 ;AES特点 1)多元素检测(multi-element); 2)分析速度快: 多元素检测; 可直接进样; 固、液样品均可 3)选择性好:Nb与Ta;Zr与Ha,Rare-elements; 4)检出限低:10-0.1?g/g(?g/mL); ICP-AES可达ng/mL级; 5)准确度高:一般5-10%,ICP可达1%以下; 6) 所需试样量少; 7) 线性范围宽(linear range),4~6个数量级; 8)无法检测非金属元素:O、S、N、X(处于远紫外);P、 Se、Te-----难激发,常以原子荧光法测定) ;AES仪器 AES仪器由光源、单色系统、检测系统三部分组成。;电感耦合等离子体 组成:ICP 高频发生器+ 炬管 + 样品引入系统 炬管包括: 外管—冷却气,沿切线引入 中管—辅助气,点燃 ICP (点燃 后切断) 内管—载气,样品引入(使用 Ar 是因为性质稳定、不 与试样作用、光谱简单) 依具体设计,三管中所通入的Ar 总流量为 5-20 L/min。石英管最大内径为2.5 cm ;ICP炬形成过程: 1)Tesla 线圈 高频交变电流(27-41KHZ, 2-4KW) 交变感应磁场; 2)火花 氩气 气体电离 少量电荷 相互碰 撞 “雪崩”现象 大量载流子; 3)数百安极高感应电流(涡电流,Eddy current) 瞬 间加热 到10000K 等离子体 趋肤效应 内管通入Ar 形成环状结构样品通道 样品蒸发、原 子化、激发。 ;ICP光源特点 1)低检测限:蒸发和激发温度高; 2)稳定,精度高:高频电流----趋肤效应(skin effect)---涡流表面电流密度大---环状结构---样品引入通道---火焰不受样品引入影响----高稳定性。 3)基体效应小(matrix effect): 样品处于化学隋性环境(Ar)的高温分析区---待测物难生成氧化物----停留时间长(ms级)、化学干扰小;样品处于中心通道,其加热是间接的----样品性质(基体性质,如样品组成、溶液粘度、样品分散度等)对ICP 影响小。 4)背景小:通过选择分析高度,避开涡流区。 5)自吸效应小:试样不扩散到ICP周围的冷气层,只处于中心通道,即是处于非局部热力学平衡; 6)分析线性范围宽: ICP在分析区温度均匀;自吸及自蚀效应小。 7)众多元素同时测定:激发温度高(70多种); 不足:对非金属测定的灵敏度低;仪器昂贵;维持费高。 ;2. 光源的选择依据 a)试样的性质:如挥发性、电离电位等 b)试样形状:如块状、粉末、溶液 c)含量高低 d)光源特性:蒸发特性、激发特性、放电稳定性(下表);3. 电极和试样的引入方式 固体试样:金属或合金直接做成电极(固体自电极); 粉末试样可与石墨粉混合装样;(电极多由石墨(Graphite)制成:高溶点、易提纯、易导电、光谱简单) 溶液试样:滴在电极上,低温烘干;使用ICP可直溶液进样。 ;4. 试样的蒸发与原子激发 AES分析中,试样中各待测物产生光谱都要经过蒸发、原子化和激发等过程。由于试样中各化合物或元素的性质不同,在蒸发进入等离子体时的速度不同,产生了所谓的分镏效应。 此外,试样量、电极形状及温度等均会影响待测物的蒸发形为。 以各元素的谱线强度对曝光时间作图可得到蒸发曲线: 因此在AES分析中必须选择合适的光源条件和曝光时间。;二、分光系统(略) 三、检测系统、检测信号与浓度的关系 我们已知谱线强度

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