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电子技术基础(模拟部分);第一章 半导体二极管及其基本电路 学时数:6学时 第二章 半导体三极管及放大电路基础 学时数:8学时 第三章 场效应管放大电路 学时数：4学时 第四章 功率放大电路 学时数:4学时 第五章 反馈放大电路 学时数:10学时 第六章 直流稳压电源 学时数:4学时;第一章 半导体二极管及其基本电路;第一章 半导体二极管及其基本电路;空穴;第一章 半导体二极管及其基本电路;漂移运动：两种载流子（电子和空穴）在电场的作用下产生的运动。其运动产生的电流方向一致。 扩散运动：由于载流子浓度的差异，而形成浓度高的区域向浓度低的区域扩散，产生扩散运动。;2、PN结的单向导电性 （1）、外加正向电压;N;2004-3;（3）、PN结V-I特性的表达式;雪崩击穿：当反向电压足够高时（U6V）PN结中内电场较强，使参加漂移的载流子加速，与中性原子相碰，使之价电??受激发产生新的电子空穴对，又被加速，而形成连锁反应，使载流子剧增，反向电流骤增。齐纳击穿：对掺杂浓度高的半导体，PN结的耗尽层很薄，只要加入不大的反向电压（U4V），耗尽层可获得很大的场强，足以将价电子从共价键中拉出来，而获得更多的电子空穴对，使反向电流骤增。;O;作业:38页2.2.2 60页2.1.1 1．3 半导体极管 1．3．1半导体二极管的结构 类型:点接触型、面接触型和集成电路中的平面型 2AP1 2CP1 16mA、150MHz 400mA、3KHz ;1．3．2极管的 V－I特性 1、正向特性 Vth门坎电压（死区电压） 硅管0.5V 锗管0.1V 2、反向特性 3、反向击穿特性; (1) 势垒电容CF;2004-3;第一章 半导体二极管及其基本电路;O;例2.4.1 R=10K?,对于下列两种情况,求电路的ID和VD的值:（1）VDD=10V; (2) VDD=1V.在每种情况下,应用理想模型、恒压降模型和折线型模型求解。;第一章 半导体二极管及其基本电路