电子技术基础[第五版]康华光05场效应管放大电路.pptVIP

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2017-04-25 发布于北京
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电子技术基础[第五版]康华光05场效应管放大电路.ppt

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电子技术基础[第五版]康华光05场效应管放大电路

5.1 金属-氧化物-半导体场效应管;N沟道;5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管;5.1.1 N沟道增强型MOSFET;P型硅衬底;当vGS 0时,;符号;（2）vDS对沟道的控制作用;P型硅衬底;（3） vDS和vGS同时作用时;综上分析可知：;3. 特性曲线;② 可变电阻区;② 可变电阻区;③ 饱和区（恒流区/放大区）;（2）转移特性;符号; 由于耗尽型场效应管预埋了导电沟道，所以在vGS= 0时，若漏–源之间加上一定的电压vDS，也会有漏极电流 iD 产生。;2. 特性曲线;5.1.3 P沟道MOSFET;5.1.3 P沟道MOSFET;5.1.3 P沟道MOSFET;5.1.4 MOSFET的主要参数;二、交流参数 ;三、极限参数 ; FET与BJT的比较; 场效应管放大电路与三极管放大电路结构上相类似，有三种组态：共源极放大电路(CS)、共漏极放大电路(CD)和共栅极放大电路(CG)。　;一、直流偏置及静态工作点的计算;假设工作在饱和区，即;假设工作在饱和区;N沟道增强型MOS管电路的静态分???:;2、带源极电阻的NMOS共源极放大电路;VG ＝0，IDQ ＝I;二、图解分析;三、小信号模型分析;;2、MOSFET放大电路分析举例;s;s;例2：;;5.3 结型场效应管;5.3.1 JFET的结构和工作原理;代表符号;2. 工作原理;② vDS对沟道的控制作用;③ vGS和vDS同时作用时;5.3.2 JFET的特性曲线及参数;与耗尽型MOSFET类似;一、直流偏置及静态工作点的计算;2、分压式自偏压电路;1. 小信号模型 ;（2）高频模型;2. 动态指标分析 ;（2）中频电压增益;5.4 各种放大器件电路性能比较; 共漏极电路与共集电极电路均有输出电流压与输入电压接近相等。因此，可将这两种放大电路称为电压跟随器。; 共栅极电路和共基极电路均有输出电流与输入电流接近相等。为此，可将它们称为电流跟随器。;本章要求