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 PAGE \* MERGEFORMAT 23 A3941 汽车应用的全桥MOSFET驱动器 特性与优势 全桥N-MOSFET大电流驱动 高端和低端PWM开关 电荷泵用于低电压源应用 TOP-OFF电荷泵实现100%PWM 可调死区时间用于横向传导保护 5.5至50V电压范围 内部包括5V基准电压 诊断输出 低功耗睡眠模式 简述 A3941是一个能够驱动外部N沟道MOSFET的全桥驱动器，特别适用于汽车应用的大感性负载，如刷式DC马达。 独特的电荷泵能够在电源低至7V时满幅（10V）驱动门极，甚至在5.5V时仍可以进行简单驱动。 引导（bootstrap）电容能够提供高于电源的电压来驱动N-MOSFET。内部的电荷泵用于高端的驱动并允许DC（100%占空比）操作。 用二极管或同步整流可以实现快速和慢速衰减模式的全桥驱动。慢速衰减模式时，反向电流通过高端或低端FET。同时FET受到电阻调节的死区击穿保护。 内部的诊断电路能够指出欠压、超温、桥故障和可配置的多功能MOSFET保护。 功能描述 A3941是一种全桥MOSFET前置驱动器，单7至50V工作电源。内部包含一个5V逻辑电压源。 4个高电流门驱动器有能力驱动宽范围的N-MOSFET，它们被配置成2个高端驱动器和2个低端驱动器。A3941包含必要的电路确保在电源低至7V时，FET的高端和低端（G-S）门极电压同时高于10V。假如电压跌落，在5.5V时仍能保证正确的功能，但是会降低门极的驱动电压。 A3941可以被MCU输出的单路PWM信号驱动，并可被配置为快速或慢速衰减模式。快速衰减可以提供4象限电机控制，而慢速衰减适合2象限地电机控制或者简单感性负载。慢速衰减模式时，反向电流穿过高端或者低端MOSFET。任何情况下，同步整流可以提高桥的效率。外部桥击穿能够被可调死区避免。 低功耗睡眠模式允许A3941、桥和负载连接到车的电源上而不必外加电源开关。 A3941包括一些保护功能：欠压、超温和桥故障。故障状态可以被MCU感知，它有2个故障输出端，FF1和FF2，可以提供给外部。 电源 单电源有必要通过一个反压保护电路连接到VBB引脚。电源需要连接一个陶瓷电容至GND滤波。 VBB电压在7至50V范围内A3941能够进行标准参数的运转，电压低至5.5V时能保证正确的功能。因此它能在复杂的车载（电源）环境下使用。 V5脚：内部是一个电压源，用于低电流的外部上拉电阻应用。同时，这个电压源也用于内部逻辑电路，所以用一个至少100nF的电容连接至GND滤波。它在RESET为低时是禁用的。 门驱动器 A3941设计用于驱动外部的、低导通电阻的N-MOSFET。瞬时它能提供较大的电流用于充电或放电外部FET的门极电容，从而来减少外部FET在开关期间的消耗。充、放电的速度可以被连接在FET门极的外部电阻按系数控制。 门驱动电压调整器：内部调整器能够驱动门极并限制其提供的最大电压。当VBB电源超过16V，调整器相当于简单的线性调整器。当低于16V时，电压由起动转换电荷泵维持，同时需要在CP1和CP2引脚间连接一个泵电容。电容最小值为220nF，典型值为470nF。 调整器电压标称为13V，可以在VREG脚测试到。一个足够大容量的储能电容需要连接到VREG脚，用来提供低端驱动和引导电容的瞬时电流。 TOP-OFF电荷泵:附加的TOP-OFF电荷泵用来供给每一相供电。电荷泵允许维持不确定的外部FET的高端门驱动电压，确保实现100%PWM驱动。它属于低电流电荷泵，仅作用在高端FET开启时。浮动的高端驱动需要一个较小的偏置电流（20uA）维持高电压输出。没有TOP-OFF电荷泵时，偏置电流将通过Cx脚从引导电容汲取。电荷泵供给足够的电流确保引导电压，从而使G-S电压维持在必要的水平。 注意作用于高端门的初始开启的必要的电荷总是来自于引导电容。如果引导电容已经放电，TOP-OFF电荷泵不能提供足够的电流允许FET开启。 一些应用中，桥的每个FET都有一个安全电阻连接在门极和源极之间。当高端FET保持导通时，电流同时供给这个电阻(RGSH)和高端驱动，所以TOP-OFF电荷泵出现了一个静态的负载。最小的电阻值应参照电气参数表中的电荷泵供应电流。 GLA和GLB引脚:这俩脚是外部N-MOSFET的低端门驱动输出。门驱动输出和FET门之间的电阻可以用于控制转变速度，提供一些SA和SB输出的di/dt和dv/dt控制。GLx变成高电平开启驱动的上一半，从外部电桥提供源电流到低端FET使其开启。GLx变成低电平开启驱动的下一半，从LSS脚提供灌电流到外部FET使其关闭。 SA和SB引脚: 直接连接到马达，这俩连接感应负载两端的电压变化。同时连接到引导电容的负端，作为浮动的高端