TCD1206SUP手册(用户).doc

TOSHIBA TCD1206SUP 2002/12/26  PAGE 5/5// PAGE/ \* MERGEFORMAT  东芝公司线阵CCD图像传感器 CCD（Charge Coupled Device电荷耦合器件） TCD1206SUP 重量：2.7g（典型值） WDIP22-C-400-2.54A TCD1206SUP是一种高灵敏度、低暗电流、2160像元的线阵CCD图象传感器。该传感器可用于传真、图象扫描和OCR。该器件的内部信号预处理电路包含采样保持和输出预放大电路。它包含一列2160像元的光敏二极管，当扫描一张B4的图纸时，可达到8线/毫米（200DPI）的精度。 特性： 像敏单元数目： 2160像元 像敏单元大小： 14?m?14?m?14?m（相邻像元中心距为14?m） 光敏区域： 采用高灵敏度PN结作为光敏单元 时钟： 二相（5V） 内部电路： 包含采样保持电路，输出预放大电路 封装形式： 22脚DIP封装 极限工作值：（见注释1） 特性描述符 号数 值单 位时钟脉冲电压V?-0.3～8V转移脉冲电压VSH复位脉冲电压VRS电源电压VOD-0.3～15工作温度Topr-25～60℃贮藏温度Tstg-40～100（注释1）：所有电压是以SS和VSS终端（地）为参考。 东芝公司长期致力于改善其产品的质量和可靠性。但是，一般的半导体器件所固有的电子敏感及物理损坏特性可能会造成器件产生故障。因此，消费者有责任依照安全标准使用东芝公司的产品，并且避免由于东芝公司产品的故障所造成的人身伤害或财产损失。设计者应当参考东芝公司提供的必威体育精装版的产品操作范围进行产品设计。详细的使用注意事项和工作条件请参考东芝公司的《半导体器件可靠性手册》（Semiconductor Reliability Handbook）。 电路原理图 管脚定义： ?1 时钟1OS 信号输出?2时钟2DOS 补偿输出SH 转移栅OD 电源RS 复位栅SS 地NC 未连接光学╱电子特性参数： （Ta?25℃， VOD ?12V，V? ?VRS?VSH ? 5V（脉冲），f? ?0.5MHZ，fRS ?1MHZ，tINT（积分时间）?10ms，光源=日光荧光灯） 特 性符 号最小值典型值最大值单 位注 释灵敏度 R 33 45 56V/lx?s（见注释2）光响应非均匀性 PRNU — — 10?（见注释3）寄存器不平衡性 RI — — 3?（见注释4）饱和输出电压 VSAT1.51.7 —V（见注释5）饱和暴光量 SE 0.037 —lx?s（见注释6）暗信号电压 VDRK — 1 2mV（见注释7）暗信号非均匀性 DSNU — 2 3mV（见注释7）直流电源功耗 PD — 80120mW总转移效率 TTE 92 — —?输出阻抗 ZO — — 1动态范围 DR — 1700 ——（见注释8）直流信号输出电压 VOS3.5 4.5 6.0V（见注释9）直流补偿输出电压 VDOS3.5 4.5 6.0V（见注释9）直流差动误差电压 ?VOS-VDOS? — 20100mV（注释2）在2854K W-Lamp灯光下的灵敏度是135V/lx.set(典型值)。 （注释3）此为50%饱和暴光量（典型值）下测定。 PRNU定义为：PRNU ? ?100（?） 其中为均匀照度下全部输出信号的平均值，为输出信号与的最大偏差值。 （注释4）此为50%饱和暴光量（典型值）下测定。 RI定义如下： RI ? 100（?） 其中与 为像敏单元的输出信号，为所有输出信号的平均值。 （注释5）VSAT为所有有效像敏单元的最小饱和输出电压。 （注释6）SE定义如下：SE ? （注释7）VDRK为所有有效像敏单元的暗信号电压平均值。 DSNU是在VMDK为最大暗信号电压时，VDRK与 VMDK的差值。 （注释8）DR定义为：DR ? 因VD